NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 4A, 80V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 2pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: >1000. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: TO-220. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP120. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 5A, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP122. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Grenzfrequenz ft [MHz]: Silizium. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP127. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 8 k Ohms és 120 Ohms. C(in): TO-220. Kosten): 200pF. CE-Diode: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Maximaler hFE-Gewinn: +150°C. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP127G. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 8A, TO-220, TO220, 100V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP132. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 15000. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP137. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 4 v. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 10A, TO-247, TO-247, 100V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. C(in): TO-247. Kosten): 60pF. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Komplementärer Leistungs-Darlington-Transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP147. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Monolithisches Darlington. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Komplementärer Leistungs-Darlington-Transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP147T. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Monolithisches Darlington. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 15A, TO-247, TO-247, 100V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-247. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) TIP2955. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Spec info: Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 24. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 5A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: komplementärer Transistor (Paar) TIP32C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 25A, TO-247, TO-247, 100V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-247. Kosten): 35pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Produktionsdatum: 1450. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 50A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: komplementärer Transistor (Paar) TIP36C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 25A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP35CG. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP42C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V

NPN-Transistor, 18A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Kollektorstrom: 18A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PMLH. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Hohe Geschwindigkeit.. Maximaler hFE-Gewinn: 15. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Ic(Impuls): 35A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Tf(max): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FI. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 110pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Vbe(sat)1.5V. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Spec info: mit Polarisationswiderstand Rbe. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 800V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V

NPN-Transistor, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FI. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 110pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Anwendungen für die horizontale Ablenkungsausgabe von Farbfernsehern. Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: mit Polarisationswiderstand Rbe. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.3us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Anwendungen für die horizontale Ablenkungsausgabe von Farbfernsehern. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 20A. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V

NPN-Transistor, 10A, 800V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. Transistortyp: NPN. VCBO: 1600V

NPN-Transistor, EMT6. Gehäuse (laut Datenblatt): EMT6. Menge pro Karton: 2. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code H21. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H21. Anzahl der Terminals: 6. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: *SMD SO6*

NPN-Transistor, EMT6. Gehäuse (laut Datenblatt): EMT6. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H9C. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: *SMD SO6*. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code H9C

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: INFI->PANAS. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 4A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 120pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Unijunction-Transistor UJT, Hi-Beta, Lo-Sat. Maximaler hFE-Gewinn: 1200. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX788. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -50...+200°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.03V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 15pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX550. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 15pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX551. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 300mA, TO-92, TO-92, 400V. Kollektorstrom: 300mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V