NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. C(in): 30pF. Kosten): 8pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 0.8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: p2X, t2X, W2X. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code P2X, T2X, W2X, Komplementärtransistor (Paar) PMBT4401. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.75V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 75V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 19pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweckverstärker. Spec info: hFE 80...450. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 45V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 75V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweckverstärker. Spec info: hFE 240...600. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 45V

NPN-Transistor, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 75pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: Allzweckverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-363, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-363. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Paar NPN- und PNP-Transistoren. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Herstellerkennzeichnung: D*2. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 180 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 100pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: DTR.. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. Spec info: Siebdruck/CMS-Code XJ. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, ITO-218, 8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-218. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: S2000N. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1.5 kV. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 8A, TO-247, TO-247F, 1500V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 9pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 15A, 160V. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 35pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF/L, HI-FI Audio. Hinweis: hFE 5000...20000. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) SAP15P. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 15A, 160V. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 35pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: NF/L, HI-FI Audio. Hinweis: hFE 5000...20000. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) SAP15P. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 15A, 400V. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 8pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Transistortyp: NPN. VCBO: 850V

NPN-Transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. C(in): 11pF. Kosten): 1.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungsverstärker, SMD-Version von MPSA42. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) SMBTA92. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: s1D. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code S1D. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 (Ammo-Pack). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 9pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: S8050 C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 28pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Push-Pull-Betrieb der Klasse B. Maximaler hFE-Gewinn: 135. Minimaler hFE-Gewinn: 96. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Spec info: ausgezeichnete hFE-Linearität. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.16V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 270 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.45W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 32. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13005A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 16. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13007A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 50. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 15...28. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: ST13009L. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Spec info: ST13009L. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V

NPN-Transistor. BE-Diode: NINCS. Kosten): 122pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltender Hochspannungs-Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 32. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: N83003. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) STN93003. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V

NPN-Transistor, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 215pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Schnell schaltender NPN-Leistungstransistor mit niedriger Spannung. Maximaler hFE-Gewinn: 350. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.32V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 700V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: HIGH SWITCH. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Spec info: High-Speed. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 7A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Kollektorstrom: 7A. Gehäuse: ISOWATT218. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schalten, Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP107. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V

NPN-Transistor, 2A, 60V. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Ic(Impuls): 4A. Hinweis: >1000. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V