Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 2A, 60V - TIP110

NPN-Transistor, 2A, 60V - TIP110
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NPN-Transistor, 2A, 60V - TIP110. NPN-Transistor, 2A, 60V. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Ic(Impuls): 4A. Hinweis: >1000. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 16:25.

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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 5A, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP122. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Grenzfrequenz ft [MHz]: Silizium. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP127. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V
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