Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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TIP142

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TIP142. Kosten): 60pF. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Komplementärer Leistungs-Darlington-Transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Monolithisches Darlington. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Widerstand B: Darlington-Leistungstransistor. C(in): 100V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Widerstand: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP147. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

Technische Dokumentation

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