NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.2A, 45V. Kollektorstrom: 0.2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 280 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: BC237/25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC237BG. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 15pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 210 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 630. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC337-25. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC337-25. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 210 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC337-25. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 800mA, TO-92, 45V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC337-40. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-40. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC337-40. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 210 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-16. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 45V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92Ammo-Pack. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 630. Minimaler hFE-Gewinn: 250. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-40. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 40pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 63. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 375. Minimaler hFE-Gewinn: 85. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. RoHS: ja. Spec info: komplementärer Transistor (Paar) BC369. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 32V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 160000. Minimaler hFE-Gewinn: 8000. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: VEBO 12V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Allzweck. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 30000. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC516. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 10V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 1.2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC517. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC517. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Kollektorstrom: 1.2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 30000. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC516. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 10V

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 65V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Minimaler hFE-Gewinn: 90. Ic(Impuls): 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC556A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-92. Kosten): 6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC556B. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC546B. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 65V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 65V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 45V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Minimaler hFE-Gewinn: 90. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC557A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Planartransistor“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V