NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 10A, 825V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 825V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Hinweis: MONITOR. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Spec info: 7.4us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V

NPN-Transistor, 12A, 1700V. Kollektorstrom: 12A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Leistungstransistor. Hinweis: MONITOR 16KHz. Spec info: Rbe 70 Ohms, SOT199 (TO-247F). Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 1700V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: MONITOR 16KHz. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Leistungstransistor. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.14us. Transistortyp: NPN. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7.5V

NPN-Transistor, 12A, 825V. Kollektorstrom: 12A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 825V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Hinweis: MONITOR. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Spec info: 2.5us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 6A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 160V/100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 25W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 6A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 280V/150V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 25W

NPN-Transistor, 600V, 10A, TO-3. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 600V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Leistung: 175W. Max Frequenz: 10MHz. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 150

NPN-Transistor, 7A, TO-220, TO-220, 200V. Kollektorstrom: 7A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 6 MHz. Funktion: TV-HA. Maximaler hFE-Gewinn: 20. Minimaler hFE-Gewinn: 12:1. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 7A, TO-220, 200V. Kollektorstrom: 7A. Gehäuse: TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Transistortyp: NPN. VCBO: 400V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 175V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W

NPN-Transistor, 12A, 375V. Kollektorstrom: 12A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 375V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Transistortyp: NPN. VCBO: 850V

NPN-Transistor, 12A, 400V. Kollektorstrom: 12A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Transistortyp: NPN. VCBO: 900V

NPN-Transistor, 6A, 375V. Kollektorstrom: 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 375V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L TV-SN. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Transistortyp: NPN. VCBO: 800V

NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA/Monitor. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 8A, SOT-199, SOT-199, 800V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA/Monitor. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA/Monitor. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 8A, SOT-199, SOT-199, 800V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA/Monitor. Maximaler hFE-Gewinn: 7.3. Minimaler hFE-Gewinn: 4.2. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Spec info: Rbe 25 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 300 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 13.5V

NPN-Transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV/Monitor. Pd (Verlustleistung, max): 55W. Spec info: CTV-HA (isoliert). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 16A, SOT-430, SOT-430, 800V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: SOT-430. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-430. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV/Monitor. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: CTV-HA. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 6A, 700V. Kollektorstrom: 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 2.5A, 700V. Kollektorstrom: 2.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 2.5A, 700V. Kollektorstrom: 2.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 5A, 700V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA SMPS. Hinweis: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Spec info: TO-220AB. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 5A, 700V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMPS (F). Pd (Verlustleistung, max): 20W. Spec info: TO-220F (SOT186). Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, PCB-Löten, ITO-218, 8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-218. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-199. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BU508AF. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 700V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 34W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C