NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 8A, 600V. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: HA, Hi-res. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: MONITOR. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V

NPN-Transistor, 8A, 600V. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: HA, Hi-res. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: MONITOR. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, PCB-Löten, M31/J, 12A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M31/J. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 180V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 130W

NPN-Transistor, 15A, 800V. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: HA hi-def.. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Spec info: MONITOR. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 400V. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Funktion: Hochspannungstreiberanwendungen. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Spec info: hFE 100...200. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 15A, TO-247, TO-247, 450V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Spec info: 500/2200ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 600V

NPN-Transistor, 0.065A, 10V. Kollektorstrom: 0.065A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 10V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: UHF. Spec info: 9000MHZ. Leistung: 200mW. Transistortyp: NPN. VCBO: 20V. Vebo: 1.5V

NPN-Transistor, 7A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 7A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: 2SD4106M. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 500V

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C4107. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.3us. Transistortyp: NPN. VCBO: 500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V

NPN-Transistor, 7A, TO-220FP, TO-220F, 120V. Kollektorstrom: 7A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Ic(Impuls): 14A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: COB--110pF (VCB=10V, f=1MHzC). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V

NPN-Transistor, 0.7A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 0.7A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 270 MHz. Funktion: hFE1 1500, hFE2 600 . Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SMV-5, 0.15A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMV-5. Kollektorstrom Ic [A], max.: 0.15A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Dualer NPN-Bipolartransistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 80 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

NPN-Transistor, 3A, 800V. Kollektorstrom: 3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8 MHz. Funktion: (F). Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1200V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 3A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8 MHz. Funktion: Schaltender Leistungstransistor. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Spec info: HFX-Serie. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1200V

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1200V

NPN-Transistor, 10A, TO-247, TO-247, 150V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: S-L. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1633. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.3A, 30 v. Kollektorstrom: 0.3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: VHF-Breitbandverstärker. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 2A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 200V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): FM20 (TO220F). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 35pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: Hochspannungs-NPN-Transistor für Audio- und Allzweckanwendungen.. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1668. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 200V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 8A, 120V. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1671. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V

NPN-Transistor, 10A, 140V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1672. Transistortyp: NPN. VCBO: 180V

NPN-Transistor, 15A, 160V. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1673. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V

NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: SMPS. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1100V

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1695. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1695. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): FM20 (TO220F). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Funktion: High hFE, LOW Vce(sat). Pd (Verlustleistung, max): 25W. Technologie: NPN-Dreifach-Diffusions-Planartransistor. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V