NPN-Transistor, PCB-Löten, D17/C, 50mA - 2SC2632
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.65€ | 0.78€ |
| 5 - 9 | 0.62€ | 0.74€ |
| 10 - 24 | 0.60€ | 0.72€ |
| 25 - 49 | 0.59€ | 0.71€ |
| 50 - 99 | 0.57€ | 0.68€ |
| 100 - 249 | 0.56€ | 0.67€ |
| 250+ | 0.54€ | 0.65€ |
| Menge | U.P | |
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| 1 - 4 | 0.65€ | 0.78€ |
| 5 - 9 | 0.62€ | 0.74€ |
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NPN-Transistor, PCB-Löten, D17/C, 50mA - 2SC2632. NPN-Transistor, PCB-Löten, D17/C, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D17/C. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 150V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.75W. Originalprodukt vom Hersteller Panasonic. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 17:25.
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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 70mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SC2910. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 180V/160V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W. Grenzfrequenz ft [MHz]: 400. Betriebstemperaturbereich min (°C): 70mA. Betriebstemperaturbereich max (°C): 140mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1208. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V
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NPN-Transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92L (9mm magas). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2310 Y. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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