Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 15A, 230V, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93 - 2SC3263

NPN-Transistor, 15A, 230V, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93 - 2SC3263
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NPN-Transistor, 15A, 230V, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93 - 2SC3263. NPN-Transistor, 15A, 230V, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1294. Transistortyp: NPN. BE-Diode: NINCS. Kosten): 250pF. CE-Diode: NINCS. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 40. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 230V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Pmc. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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2SC3263

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NPN-Transistor, 15A, 230V, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitters...
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NPN-Transistor, 15A, 230V, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1294. Transistortyp: NPN. BE-Diode: NINCS. Kosten): 250pF. CE-Diode: NINCS. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 40. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 230V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V
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NPN-Transistor, 15A, 230V, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1294. Transistortyp: NPN. BE-Diode: NINCS. Kosten): 250pF. CE-Diode: NINCS. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 40. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 230V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V
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