Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 0.7A, 25V - 2SD467C

NPN-Transistor, 0.7A, 25V - 2SD467C
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NPN-Transistor, 0.7A, 25V - 2SD467C. NPN-Transistor, 0.7A, 25V. Kollektorstrom: 0.7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 280 MHz. Funktion: Allzweck. Hinweis: hFE 120...240. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Transistortyp: NPN. Originalprodukt vom Hersteller Hitachi. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 23:25.

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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC639. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC640. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V
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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC639. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC640. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V
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