Menge (Set mit 10) | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
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1 - 1 | 0.60€ | 0.72€ |
2 - 2 | 0.57€ | 0.68€ |
3 - 4 | 0.54€ | 0.65€ |
5 - 9 | 0.51€ | 0.61€ |
10 - 24 | 0.48€ | 0.58€ |
25 - 49 | 0.45€ | 0.54€ |
50 - 173 | 0.42€ | 0.50€ |
Menge (Set mit 10) | U.P | |
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1 - 1 | 0.60€ | 0.72€ |
2 - 2 | 0.57€ | 0.68€ |
3 - 4 | 0.54€ | 0.65€ |
5 - 9 | 0.51€ | 0.61€ |
10 - 24 | 0.48€ | 0.58€ |
25 - 49 | 0.45€ | 0.54€ |
50 - 173 | 0.42€ | 0.50€ |
NPN-Transistor, TO-92, 100mA, TO-92, 50V - BC212B. NPN-Transistor, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: PNP-Transistor. BE-Widerstand: -50V. C(in): -0.1A. Kosten): 1W. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 280 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 03:25.
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