NPN-Transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V - BD250C-PMC
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.51€ | 3.01€ |
| 5 - 9 | 2.39€ | 2.87€ |
| 10 - 24 | 2.26€ | 2.71€ |
| 25 - 34 | 2.14€ | 2.57€ |
| Menge | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.51€ | 3.01€ |
| 5 - 9 | 2.39€ | 2.87€ |
| 10 - 24 | 2.26€ | 2.71€ |
| 25 - 34 | 2.14€ | 2.57€ |
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
NPN-Transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V - BD250C-PMC. NPN-Transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD249C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 08:25.
Gleichwertige Produkte :
TIP36C
NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 45pF, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäu...
NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 45pF, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): 45pF. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25A. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP33C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 50A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP35C
NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 45pF, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): 45pF. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25A. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP33C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 50A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP35C
BD250C
NPN-Transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3P ( TO...
NPN-Transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD249C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
NPN-Transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD249C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
Wir empfehlen außerdem :
BD249C
NPN-Transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218AB, 115V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3P (...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BD245C-PMC
NPN-Transistor, 10A, 115V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Menge pro Kar...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
2N3442-PMC
NPN-Transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Ge...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
MPSA56
NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92AMMO, 80V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut D...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
2SA1294-SKN
NPN-Transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), MT-100, 230V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BD241C
NPN-Transistor, TO-220, 100V, 3A, 5A, TO-220, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung VCE...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BD442
NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehä...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
MJL1302A
NPN-Transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
2N1711
NPN-Transistor, 500mA, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 50V. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: TO-39 ( TO-205...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
AP4511GD
MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transis...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
Informationen und technische Hilfe
Zahlungs-und Lieferbedingungen
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.