Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V - BD438

NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V - BD438
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NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V - BD438. NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 130. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Ic(Impuls): 7A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD437. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 05:25.

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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD442. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 7A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD441. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V
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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD442. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 7A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD441. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V
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