Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 4A, TO-126, 60V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD678A

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NPN-Transistor, 4A, TO-126, 60V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD678A. NPN-Transistor, 4A, TO-126, 60V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 4A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD677A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 03:25.

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