Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V - BD912

NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V - BD912
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NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V - BD912. NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-220AB. Kosten): TO-220AB. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Power Linear und Switching. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): +150°C. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD911. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 03:25.

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BD912-ST

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NPN-Transistor, 15A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 15A. Gehäuse (laut Date...
BD912-ST
NPN-Transistor, 15A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 15A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD911
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NPN-Transistor, 15A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 15A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD911
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