Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V - BDX34C

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V - BDX34C
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NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V - BDX34C. NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Widerstand B: 10k Ohms. BE-Widerstand: 150 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. C(in): ja. Kosten): -100V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX33C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 03:25.

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