Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V - BU808DFX-PMC

NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V - BU808DFX-PMC
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NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V - BU808DFX-PMC. NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. BE-Widerstand: 260 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 60...230, isoliertes Kunststoffgehäuse. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 62W. Spec info: Fallzeit 0,8us. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Pmc. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 18:25.

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NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. BE-Widerstand: 42 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 230. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 62W. RoHS: ja. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Vebo: 5V
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