NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V - BUL45GD2G

NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V - BUL45GD2G. NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220AB CASE 221A-09. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 50pF. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13 MHz. Funktion: Bipolarer NPN-Leistungstransistor mit hoher Geschwindigkeit und hoher Verstärkung. Maximaler hFE-Gewinn: 34. Minimaler hFE-Gewinn: 22. Ic(Impuls): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.28V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 12V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 18:25.