Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 0.7A, 140V - KSC1009Y

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NPN-Transistor, 0.7A, 140V - KSC1009Y. NPN-Transistor, 0.7A, 140V. Kollektorstrom: 0.7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 2.6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Originalprodukt vom Hersteller Samsung. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 09:25.

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NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 20pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2383 Y. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1013. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V
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