Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE210G

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NPN-Transistor, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE210G. NPN-Transistor, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kosten): 120pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 65MHz. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE200. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 18:25.

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