NPN-Transistor PUMB11-R, SOT-363, 50V, 100mA. Gehäuse: SOT-363. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Anzahl der Terminals: 6. Grenzfrequenz ft [MHz]: 180 MHz. Herstellerkennzeichnung: B*1. Komponentenfamilie: Dualer PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Nexperia. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:22