Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V - ST13005A

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V - ST13005A
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NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V - ST13005A. NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 32. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13005A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 17:25.

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ST13007A

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NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Dat...
ST13007A
NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 16. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13007A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Vebo: 9V
ST13007A
NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 16. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13007A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Vebo: 9V
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MJE13007

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NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Dat...
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NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 14 MHz. Funktion: Schaltkreise. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Bipolarer Leistungstransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 9V
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NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 14 MHz. Funktion: Schaltkreise. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Bipolarer Leistungstransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 9V
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MJE13005

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NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: S-L. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V
MJE13005
NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: S-L. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V
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