Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

Optokoppler

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TCDT1102G

TCDT1102G

Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. ...
TCDT1102G
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: CTR 63-125%. Hinweis: Fototransistor-Ausgang
TCDT1102G
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: CTR 63-125%. Hinweis: Fototransistor-Ausgang
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TCDT1103

TCDT1103

Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 9mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anza...
TCDT1103
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 9mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Fototransistor-Ausgang. Hinweis: CTR 100-200%
TCDT1103
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 9mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Fototransistor-Ausgang. Hinweis: CTR 100-200%
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TCDT1103G

TCDT1103G

Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. ...
TCDT1103G
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Fototransistor-Ausgang. Hinweis: CTR 100-200%
TCDT1103G
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Fototransistor-Ausgang. Hinweis: CTR 100-200%
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TCDT1120

TCDT1120

CTR: > 40%. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspan...
TCDT1120
CTR: > 40%. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25V. FC: 110kHz. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 2.54mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VCBO: 90V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. Vrms: 5000V. Anzahl der Terminals: 6
TCDT1120
CTR: > 40%. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 3A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25V. FC: 110kHz. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 2.54mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VCBO: 90V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. Vrms: 5000V. Anzahl der Terminals: 6
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TCDT1120G

TCDT1120G

Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. ...
TCDT1120G
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: CTR >40%. Hinweis: Fototransistor-Ausgang
TCDT1120G
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: CTR >40%. Hinweis: Fototransistor-Ausgang
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TCDT1122G

TCDT1122G

Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. ...
TCDT1122G
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Fototransistor-Ausgang. Hinweis: CTR 63-125%
TCDT1122G
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Fototransistor-Ausgang. Hinweis: CTR 63-125%
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TCDT1124

TCDT1124

Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 9.5mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. An...
TCDT1124
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 9.5mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Fototransistor-Ausgang. Hinweis: CTR 160-320%
TCDT1124
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 9.5mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Fototransistor-Ausgang. Hinweis: CTR 160-320%
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TCDT1124G

TCDT1124G

Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. ...
TCDT1124G
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Fototransistor-Ausgang. Hinweis: CTR 160-320%
TCDT1124G
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Fototransistor-Ausgang. Hinweis: CTR 160-320%
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TCET1100

TCET1100

Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. A...
TCET1100
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 50...600%. Hinweis: Vce 70V
TCET1100
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 50...600%. Hinweis: Vce 70V
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TCET1100G

TCET1100G

CTR: 50...600 %. Courant ZF-Diode (Spitze): 1.5A. Irrm, Strom: 60mA. Diodenschwellenspannung: 1.25V....
TCET1100G
CTR: 50...600 %. Courant ZF-Diode (Spitze): 1.5A. Irrm, Strom: 60mA. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 2.54mm. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Betriebstemperatur: -40...+100°C. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. Vrms: 5000V. Anzahl der Terminals: 4
TCET1100G
CTR: 50...600 %. Courant ZF-Diode (Spitze): 1.5A. Irrm, Strom: 60mA. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 2.54mm. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Betriebstemperatur: -40...+100°C. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. Vrms: 5000V. Anzahl der Terminals: 4
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TCET1102

TCET1102

Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. A...
TCET1102
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 63...125%. Hinweis: Vce 70V
TCET1102
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 63...125%. Hinweis: Vce 70V
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TCET1102G

TCET1102G

Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 2.54mm. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendu...
TCET1102G
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 2.54mm. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 63...125%. Hinweis: Vce 70V
TCET1102G
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 2.54mm. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 63...125%. Hinweis: Vce 70V
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TCET1103

TCET1103

Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. A...
TCET1103
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 100...200%. Hinweis: Vce 70V
TCET1103
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 100...200%. Hinweis: Vce 70V
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TCET1103G

TCET1103G

CTR: 100...200 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1.5A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwe...
TCET1103G
CTR: 100...200 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1.5A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Betriebstemperatur: -40...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. VRRM: 5000V. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: Vce 70V
TCET1103G
CTR: 100...200 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1.5A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.25V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Betriebstemperatur: -40...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. VRRM: 5000V. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: Vce 70V
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TCET1104

TCET1104

Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. A...
TCET1104
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 160...320%. Hinweis: Vce 70V
TCET1104
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 160...320%. Hinweis: Vce 70V
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TCET1107

TCET1107

Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. A...
TCET1107
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 80...160%. Hinweis: Vce 70V
TCET1107
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 80...160%. Hinweis: Vce 70V
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TCET1108

TCET1108

Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. A...
TCET1108
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 130...260%. Hinweis: Vce 70V
TCET1108
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 130...260%. Hinweis: Vce 70V
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TCET1108G

TCET1108G

Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. ...
TCET1108G
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 130...260%. Hinweis: Vce 70V
TCET1108G
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 130...260%. Hinweis: Vce 70V
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TCET1109

TCET1109

Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. A...
TCET1109
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 200...400%. Hinweis: Vce 70V
TCET1109
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 200...400%. Hinweis: Vce 70V
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TCET1109G

TCET1109G

Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. ...
TCET1109G
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 200...400%. Hinweis: Vce 70V
TCET1109G
Ausgang: Transistorausgang. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: CTR 200...400%. Hinweis: Vce 70V
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TIL111

TIL111

Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: Leiter...
TIL111
Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. VCBO: 70V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Anzahl der Terminals: 6. Spec info: Eingangs-Ausgangs-Isolierung, min
TIL111
Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. VCBO: 70V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Anzahl der Terminals: 6. Spec info: Eingangs-Ausgangs-Isolierung, min
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TIL112

TIL112

Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Hinweis: 1.5KV, Pd 250mW, Vceo 20V...
TIL112
Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Hinweis: 1.5KV, Pd 250mW, Vceo 20V
TIL112
Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Hinweis: 1.5KV, Pd 250mW, Vceo 20V
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TLP-268J-TPL-E-T

TLP-268J-TPL-E-T

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MINIFLAT-6. Konfig...
TLP-268J-TPL-E-T
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MINIFLAT-6. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: TRIAC. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Nenneingangsstrom (mA): 3mA. Maximale Ausgangsspannung (V): 600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: optotriakisches Schalten durch Nulldurchgangserkennung
TLP-268J-TPL-E-T
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MINIFLAT-6. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: TRIAC. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Nenneingangsstrom (mA): 3mA. Maximale Ausgangsspannung (V): 600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: optotriakisches Schalten durch Nulldurchgangserkennung
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TLP115A-F-SMD

TLP115A-F-SMD

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMD-6. Konfigurati...
TLP115A-F-SMD
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMD-6. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Digital. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 120ns. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 120ns. Maximale Ausgangsspannung (V): TTL. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C
TLP115A-F-SMD
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMD-6. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Digital. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 120ns. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 120ns. Maximale Ausgangsspannung (V): TTL. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C
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TLP118-TPL-E-0

TLP118-TPL-E-0

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO6. Konfiguration...
TLP118-TPL-E-0
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO6. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Digital. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 60 ns. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 60 ns. Maximale Ausgangsspannung (V): TTL. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C
TLP118-TPL-E-0
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO6. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Digital. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 60 ns. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 60 ns. Maximale Ausgangsspannung (V): TTL. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C
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