Optokoppler

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Dual-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 2. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Rate: 50 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 55V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Rate: 100 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 55V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

CTR: 50...600 %. Diode IF: 50mA. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: AC-DC-Eingang. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Betriebstemperatur: -55...+100°C

CTR: 50...600 %. Diode IF: 50mA. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Spec info: AC-DC-Eingang. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP-8. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Vrms: 2500V

Hinweis: CTR>500%. Hinweis: DC-OUT.MODE. Ausgang: Darlington-Transistor-Ausgang

Hinweis: CTR>500%. Hinweis: DC-OUT.MODE. Ausgang: Darlington-Transistor-Ausgang

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Komplementärtransistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 16V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 5us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 5us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenschwellenspannung: 1.2...1.7V. Funktion: Programmierbare Steuerungen für die Telekommunikation. RoHS: ja. Spec info: Photo-Diode Array. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6 (11-7A9). Betriebstemperatur: -40...+85°C. Vrms: 2500VAC

CTR: 50...600 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.15V. Funktion: AC- oder DC-Spannungseingang. Hinweis: Transistorausgang. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 7.62mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Tr: 2us. Betriebstemperatur: -50...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 55V. VECO: 7V. VRRM: 5000V

CTR: 100...600 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.15V. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. RoHS: ja. Spec info: AC-DC-Eingang. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Tr: 2us. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 55V. Vrms: 5000V

CTR: 50...100 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.15...1.3V. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. RoHS: ja. Spec info: AC-DC-Eingang. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Tr: 2us. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 55V. Vrms: 5000V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Dual-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 2. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 100 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 55V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

CTR: 50...100 %. Diode IF: 50mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 70mW. Diodenschwellenspannung: 1.15V. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 16. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. RoHS: ja. Spec info: AC-DC-Eingang. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-16. Tr: 2us. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vrms: 5000V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 100 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 55V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 50 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 55V. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Hinweis: CTR 50...100%. Hinweis: Vceo max 55V, IF 60mA. Hinweis: Isolationsspannung 5kV. Ausgang: Transistorausgang

CTR: 1000...4000%. Diode IF: 60mA. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.15V. Kollektorstrom: 150mA. Ausgang: Darlington-Transistor-Ausgang. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 15us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-4. Tr: 40us. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vrms: 5000V

Hinweis: niedriger Eingangsstrom. Ausgang: Darlington-Transistor-Ausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Doppelter Hochspannungs-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 2. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Darlington NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 500 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 300V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 50us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 80us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Kollektorstrom: 150mA. Hinweis: niedriger Eingangsstrom. Ausgang: Darlington-Transistor-Ausgang. Anzahl der Terminals: 16. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP16. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 16. Optokopplertyp: Quad-Optokoppler, Hochspannung. Anzahl der Kreise: 4. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Darlington NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 500 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 300V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 50us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 80us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

CTR: 50...600 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 0.1W. Diodenschwellenspannung: 1.15V. Kollektorstrom: 50mA. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 7.62mm. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Teilung: 7.56mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 3us. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Tr: 2us. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 55V. Vebo: 7V. VECO: 7V. VRRM: 4 kV

Hinweis: DIP-6. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Optokopplertyp: Optothyristor. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Thyristor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 4 kV. Rate: 100 %. Maximale Ausgangsspannung (V): 600V. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 15us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMD8 Möwenflügel. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Optocoppler für die digitale Übertragung. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Digital. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 20V. Nenneingangsstrom (mA): 25mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 200 ns. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 300 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C