Optokoppler

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Rate: 45 %. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Maximale Ausgangsspannung (V): 20V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Optokopplertyp: Optokoppler, hohe Geschwindigkeit

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Dual-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 2. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Darlington NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5kV. Rate: 800 %. Nenneingangsstrom (mA): 40uA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 65us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 70us. Maximale Ausgangsspannung (V): 18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Hinweis: 10000 CMR LF 300mil. Ausgang: mit isoliertem Verstärker, IC-Ausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Teilung: 7.62mm. RoHS: ja. Teilung: 7.56mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: Optokoppler, Isolationsverstärker

RoHS: ja. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Maximale Ausgangsspannung (V): 5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Produktionsdatum: 2014/38. Hinweis: 10000 CMR LF 300mil. Ausgang: mit isoliertem Verstärker, IC-Ausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Teilung: 7.62mm. Teilung: 7.56mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Funktion: Optokoppler, Isolationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SDIP4. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5 kV. Rate: 50 %. Nenneingangsstrom (mA): 5mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 4us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 4us. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -30°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO16. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Optokopplertyp: Digitaler Trenner. Anzahl der Kreise: 2. Art des Eingangs: Digital. Ausgangstyp: Digital. Isolationsspannung Uiso [kV]: 2.5 kV. Einschaltzeit tr [µsec.]: 15 ns. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 15 ns. Maximale Ausgangsspannung (V): 5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Isolationsspannung Uiso [kV]: 3.75 kV. Nenneingangsstrom (mA): 7mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 500 ns. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 500 ns. Maximale Ausgangsspannung (V): 30 v. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Optokoppler, IGBT-Treiber

CTR: 100...200 %. Diode IF: 60mA. Diodenleistung: 90mW. Diodenschwellenspannung: 1.3V. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Ausgang: Transistorausgang mit Basis. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 3us. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+100°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vebo: 7V. VECO: 7V. VRRM: 4000V. Funktion: Fototransistor-Ausgang, mit Basisanschluss

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOIC-8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 4 kV. Rate: 100 %. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: Linear. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Maximale Ausgangsspannung (V): 50V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Optokoppler, lineare Übertragung

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: Linear. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Maximale Ausgangsspannung (V): 50V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Optokoppler, lineare Übertragung

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Linearer Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: Linear. Nenneingangsstrom (mA): 60mA. Maximale Ausgangsspannung (V): 50V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: Linear. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Maximale Ausgangsspannung (V): 50V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Optokoppler, lineare Übertragung

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Linearer Optokoppler. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: Linear. Nenneingangsstrom (mA): 60mA. Maximale Ausgangsspannung (V): 50V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

IT(RSM) (TC=85°C): 300mA. Ausgang: Triac-Ausgang. Anzahl der Terminals: 6. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VDRM: 850V. VRRM: 5.3 kV. Funktion: Optokoppler, Phototriac-Ausgang, hoher dV/dt. Spec info: Mit Nulldurchgangsschaltung

RoHS: ja. Nenneingangsstrom (mA): 2mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 35us. Maximale Ausgangsspannung (V): 600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Hinweis: VDRM 600V, IT(RMS) 300mA. Ausgang: Triac-Ausgang. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 2.54mm. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VRRM: 5300V. Funktion: Optokoppler, Phototriac-Ausgang, hoher dV/dt. Spec info: Mit Nulldurchgangsschaltung

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Hinweis: VDRM 600V, IT(RMS) 300mA. Ausgang: Triac-Ausgang. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 2.54mm. RoHS: ja. Gewicht: 0.431g. Teilung: 10.16mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VRRM: 5300V. Funktion: Optokoppler, Phototriac-Ausgang, hoher dV/dt. Spec info: Mit Nulldurchgangsschaltung

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6 400 mil. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: TRIAC. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Nenneingangsstrom (mA): 2mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 35us. Maximale Ausgangsspannung (V): 600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Hinweis: VDRM 800V, IT(RMS) 300mA. Ausgang: Triac-Ausgang. Anzahl der Terminals: 6. Teilung: 2.54mm. RoHS: ja. Teilung: 7.62mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VRRM: 5300V. Funktion: Optokoppler, Phototriac-Ausgang, hoher dV/dt. Spec info: Mit Nulldurchgangsschaltung

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP6. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 6. Anzahl der Kreise: 1. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 12.5 %. Nenneingangsstrom (mA): 16mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Maximale Ausgangsspannung (V): 50V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Optokopplertyp: Allzweck-Optokoppler

CTR: 40...80 %. Diode IF: 30mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 50mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Hinweis: CTR min 40 (IF=10mA, VCE=5.0V). Hinweis: 2-Kanal. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 125mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO-8. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. Vrms: 4000V. Spec info: Isolationsprüfspannung 4000 V (1 s)

CTR: 63...125 %. Diode IF: 30mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1A. Diodenleistung: 50mW. Diodenschwellenspannung: 1.2V. Hinweis: CTR min 63 (IF=10mA, VCE=5.0V). Hinweis: 2-Kanal. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 125mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO-8. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. VECO: 7V. Vrms: 4000V. Spec info: Isolationsprüfspannung 4000 V (1 s)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOIC-8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Dual-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 2. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 4 kV. Rate: 63 %. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 6us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 5us. Maximale Ausgangsspannung (V): 70V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Optokopplertyp: Dual-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 2. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: Darlington NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 100 %. Nenneingangsstrom (mA): 10mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 10us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 35us. Maximale Ausgangsspannung (V): 30 v. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Optokoppler. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Optokopplertyp: Dual-Optokoppler. Anzahl der Kreise: 2. Art des Eingangs: Infrarot-LED. Ausgangstyp: NPN-Transistor. Isolationsspannung Uiso [kV]: 5.3 kV. Rate: 12.5 %. Nenneingangsstrom (mA): 16mA. Einschaltzeit tr [µsec.]: 3us. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 3us. Anzahl der Terminals: 8:1. Maximale Ausgangsspannung (V): 50V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): CTR min--12.5 (IF=16mA, VCE=5.0V). VECO: 5V. Vrms: 5300V