Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren FET- und MOSFET-Transistoren

P-Kanal-Transistor, 4.1A, 4.1A, TO-220FP, TO-220F, 250V - IRFI9634G

P-Kanal-Transistor, 4.1A, 4.1A, TO-220FP, TO-220F, 250V - IRFI9634G
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P-Kanal-Transistor, 4.1A, 4.1A, TO-220FP, TO-220F, 250V - IRFI9634G. P-Kanal-Transistor, 4.1A, 4.1A, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 4.1A. IDSS (max): 4.1A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 250V. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. ID (T=100°C): 2.6A. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Funktion: td(on) 12ns, td(off) 34ns. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 14:25.

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P-Kanal-Transistor, 3.4A, 3.4A, 250V. ID (T=25°C): 3.4A. IDSS (max): 3.4A. Spannung Vds(max): 250V. Kanaltyp: P. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 2.6A. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.3 Ohms. Technologie: V-MOS TO220F. Menge pro Karton: 1. Hinweis: On 13ns, Off 40ns
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P-Kanal-Transistor, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 100uA. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 1040pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SWITCHING, POWER MOS FET. Id(imp): 24A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 47 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: P-CHANNEL POWER MOS FET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 4 v. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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