P-Kanal-Transistor, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR9120
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.88€ | 1.06€ |
| 5 - 9 | 0.83€ | 1.00€ |
| 10 - 24 | 0.79€ | 0.95€ |
| 25 - 49 | 0.75€ | 0.90€ |
| 50 - 99 | 0.73€ | 0.88€ |
| 100 - 249 | 0.71€ | 0.85€ |
| 250+ | 0.68€ | 0.82€ |
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| 1 - 4 | 0.88€ | 1.06€ |
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P-Kanal-Transistor, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR9120. P-Kanal-Transistor, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V. ID (T=25°C): 5.6A. IDSS (max): 5.6A. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Spannung Vds(max): 100V. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 3.6A. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.6 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 14:25.
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P-Kanal-Transistor, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=25°C): 6.6A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 350pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4.2A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
P-Kanal-Transistor, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=25°C): 6.6A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 350pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4.2A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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