Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Q67042-S4113

Q67042-S4113
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Q67042-S4113. C(in): 2930pF. Kosten): 1150pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 380A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N03L04. Pd (Verlustleistung, max): 188W. Einschaltwiderstand Rds On: 5M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Cool Mos. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 20:25.

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C(in): 5110pF. Kosten): 960pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: UPS, DC/DC-Wandler. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.5M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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C(in): 5110pF. Kosten): 960pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: UPS, DC/DC-Wandler. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.5M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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C(in): 5110pF. Kosten): 960pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: UPS, DC/DC-Wandler. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.5M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. G-S-Schutz: NINCS
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C(in): 3850pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0065 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Motorsteuerung, Audioverstärker. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS
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