RAM-Speicherschaltungen

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Speicherschaltkreisfamilie: 23LC. Speichergröße [Byte]: 1Mbit. Speicherkonfiguration: 128K x 8-bit. Schnittstellentyp: SPI. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximales Taktsignal (MHz): 20 MHz. Speichertyp: SRAM-Speicher, serieller Buszugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +2.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP24. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 24. Speichergröße [Byte]: 2 KByte. Speicherkonfiguration: 2K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximales Taktsignal (MHz): 100 ns. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 32. Speicherschaltkreisfamilie: U62. Speichergröße [Byte]: 128 KByte. Speicherkonfiguration: 128K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximales Taktsignal (MHz): 70 ns. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO28W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 28. Speicherschaltkreisfamilie: U62. Speichergröße [Byte]: 8 KByte. Speicherkonfiguration: 8K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximales Taktsignal (MHz): 70 ns. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO28W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 28. Speicherschaltkreisfamilie: U62H. Speichergröße [Byte]: 32 KByte. Speicherkonfiguration: 32K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximales Taktsignal (MHz): 55 ns. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP28. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 28. Speicherschaltkreisfamilie: A62. Speichergröße [Byte]: 8 KByte. Speicherkonfiguration: 8K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximales Taktsignal (MHz): 70 ns. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 32. Speicherschaltkreisfamilie: AS6C. Speichergröße [Byte]: 128 KByte. Speicherkonfiguration: 128K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximales Taktsignal (MHz): 55 ns. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO32W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 32. Speicherschaltkreisfamilie: AS6C. Speichergröße [Byte]: 128 KByte. Speicherkonfiguration: 128K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximales Taktsignal (MHz): 55 ns. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO32W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 32. Speicherschaltkreisfamilie: AS6C. Speichergröße [Byte]: 128 KByte. Speicherkonfiguration: 128K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximales Taktsignal (MHz): 55 ns. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO32W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 32. Speicherschaltkreisfamilie: AS6C. Speichergröße [Byte]: 512 KByte. Speicherkonfiguration: 512K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximales Taktsignal (MHz): 55 ns. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO28W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 28. Speicherschaltkreisfamilie: AS6C. Speichergröße [Byte]: 32 KByte. Speicherkonfiguration: 32K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximales Taktsignal (MHz): 55 ns. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP28. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 28. Speicherschaltkreisfamilie: AS6C. Speichergröße [Byte]: 32 KByte. Speicherkonfiguration: 32K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximales Taktsignal (MHz): 70 ns. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSOP28. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 28. Speicherschaltkreisfamilie: BS62LV. Speichergröße [Byte]: 32 KByte. Speicherkonfiguration: 32K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximales Taktsignal (MHz): 70 ns. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +2.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 32. Speicherschaltkreisfamilie: BS62LV. Speichergröße [Byte]: 512 KByte. Speicherkonfiguration: 512K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximales Taktsignal (MHz): 55 ns. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +2.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP24. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 24. Speicherschaltkreisfamilie: DS12. Speichergröße [Byte]: 2 KByte. Speicherkonfiguration: 2K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximales Taktsignal (MHz): 100 ns. Speichertyp: batteriegepuffertes SRAM, paralleler Zugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP28. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 28. Speicherschaltkreisfamilie: DS12. Speichergröße [Byte]: 8 KByte. Speicherkonfiguration: 8K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximales Taktsignal (MHz): 150 ns. Speichertyp: batteriegepuffertes SRAM, paralleler Zugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSOP2-44. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 44. Speicherschaltkreisfamilie: IS61LV. Speichergröße [Byte]: 256 KByte. Speicherkonfiguration: 128K x 16-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximales Taktsignal (MHz): 10 ns. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +3.6V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSOP2-32. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 32. Speicherschaltkreisfamilie: K6R. Speichergröße [Byte]: 128 KByte. Speicherkonfiguration: 128K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximales Taktsignal (MHz): 10 ns. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSOP2-F32. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 32. Speicherschaltkreisfamilie: K6T. Speichergröße [Byte]: 512 KByte. Speicherkonfiguration: 512K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximales Taktsignal (MHz): 55 ns. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP24. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 24. Speicherschaltkreisfamilie: M48T. Speichergröße [Byte]: 2 KByte. Speicherkonfiguration: 2K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximales Taktsignal (MHz): 70 ns. Speichertyp: batteriegepuffertes SRAM, paralleler Zugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +4.75V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP28. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 28. Speicherschaltkreisfamilie: M48Z. Speichergröße [Byte]: 8 KByte. Speicherkonfiguration: 8K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximales Taktsignal (MHz): 100 ns. Speichertyp: batteriegepuffertes SRAM, paralleler Zugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +4.75V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Gehäuse (JEDEC-Standard): Leiterplattendurchsteckmontage

RoHS: ja. Komponentenfamilie: integrierte Schnittstellenschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO16. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Anzahl der Steuerkreise: 0. Anzahl der Empfangskreise: 4. Art der Kommunikation: Duplex. Deaktivierbar: ja. Kommunikationsgeschwindigkeit [Bit]: 10Mbit. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: serielle Schnittstelle, Differenzempfänger. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Anzahl Empfängerkreise auf der Linie, max: 128

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO32W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 32. Speicherschaltkreisfamilie: R1LP. Speichergröße [Byte]: 512 KByte. Speicherkonfiguration: 512K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximales Taktsignal (MHz): 55 ns. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO32W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 32. Speicherschaltkreisfamilie: R1LV. Speichergröße [Byte]: 512 KByte. Speicherkonfiguration: 512K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximales Taktsignal (MHz): 55 ns. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +3.6V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO32W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 32. Speicherschaltkreisfamilie: R1LV. Speichergröße [Byte]: 512 KByte. Speicherkonfiguration: 512K x 8-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Maximales Taktsignal (MHz): 55 ns. Speichertyp: SRAM-Speicher, paralleler Buszugriff. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +3.6V