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Samsung Diode 200V 5A 35ns YG911S2
Produktreferenz : YG911S2
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Technische Produktbeschreibung (YG911S2):
Diode 200V 5A/50Ap 35ns YG911S2. Halbleitermaterial: Si. IF(AV): 5 A. Info1: Kunststoffgehäuse. Info2: 0402-000491. Info4: 50Ap / 10mS. Vrrm: 200 V.