Sanyo 2SK3850TP-FA N-Kanal MOSFET 600V 0.7A D-PAK SMD

Technische Produktbeschreibung (2SK3850TP-FA):

Sanyo 2SK3850TP-FA N-Kanal MOSFET SMD. Maximale Drain-Source-Spannung Vds(max): 600V. Drainstrom Id (T=25°C): 0.7A. Impuls-Drainstrom Id(imp): 2.8A. Verlustleistung Pd: 15W. Durchlasswiderstand Rds(on): 14 Ohm. Eingangskapazität C(in): 96 pF. Ausgangskapazität C(out): 29 pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: keiner. Menge pro Gehäuse: 1 Stück. Dioden-Sperrverzögerungszeit Trr(Min.): --. FET-Typ: MOSFET. Gate-Source-Schutz: keiner. Maximaler Drain-Source-Leckstrom Idss: 100 uA. Minimaler Drain-Source-Leckstrom Idss: 1 uA. Gate-Forward-Strom IGF: --. Gehäusemarkierung: K3850. Anzahl der Anschlüsse: 2 Stück. Maximale Temperatur: +150 °C. RoHS-konform: ja. Montage: Oberflächenmontage (SMD). Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 16 ns. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 9 ns. Gehäuse: D-PAK (TO-252). Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-252AA (DPAK) (SOT428). Betriebstemperatur: --. Gate-Source-Spannung Vgs: 30V. Minimale Gate-Source-Sperrspannung VGS(off): --. Maximale Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th): 3.5V. Minimale Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th): 2.5V.