Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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SF68G

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SF68G. Cj: 80pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 150A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 (9.1x9.1mm). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 150Ap/8.3ms. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

Technische Dokumentation

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Cj: 65pF. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 150A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 (8.8x7mm). Tr: 75 ns. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: 150Ap/8.3ms
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