Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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SF68G

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SF68G. Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 150A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 (9.1x9.1mm). VRRM: 600V. Cj: 80pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Originalprodukt vom Hersteller Taiwan Semicon. Bestandsmenge aktualisiert am 25/07/2025, 01:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 150A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 (8.8x7mm). VRRM:...
HER608
Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 150A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Cj: 65pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Spec info: 150Ap/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tr: 75 ns. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V
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Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 150A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Cj: 65pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Spec info: 150Ap/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tr: 75 ns. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V
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