Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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SPB80N04S2-H4

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SPB80N04S2-H4. C(in): 4480pF. Kosten): 1580pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 195 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Erweiterungsmodus . Id(imp): 320A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N04H4. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.4M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 46 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 09:25.

Technische Dokumentation

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C(in): 3850pF. Kosten): 650pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 120N4F6. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET™ VI Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schaltanwendungen, Automotive. G-S-Schutz: NINCS
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