Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 110A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 300V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST DUAL DIODE. MRT (maximal): 300uA. MRT (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 40A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: AXIAL TURBO 2 DIODE. Produktionsdatum: 201506. MRT (maximal): 12uA. MRT (min): 2uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--40App, t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Gehäuse: DO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-247. Hinweis: 2500-V-Isolierung. Hinweis: Hochspannungsdiode, ultraschnelle Wiederherstellung. Hinweis: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263. VRRM: 300V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hocheffiziente ultraschnelle Diode. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Hochspannungsgleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Hochspannungsgleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: IFSM--300Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.85V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 330A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 22 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hocheffiziente ultraschnelle Diode. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--330Ap t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FPAC. VRRM: 200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdioden (min, 17 ns, max, 30 ns). Kennzeichnung auf dem Gehäuse: STTH802. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.8V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 400V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.25V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V

VRRM: 30V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.2A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <1V / 0.2A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 500nA / 25V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 5ns. Serie: BAT

VRRM: 40V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.35A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <0.75V / 0.2A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 25uA / 40V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 10ns. Serie: BAT

VRRM: 100V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.15A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <0.45V / 0.01A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 5uA / 75V. Serie: BAT

Gehäuse: SMD 0603. VRRM: 75V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.1A. Diodentyp: Switching. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <1.0V / 0.01A. Montageart: SMD. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 4ns. Serie: TS4148

Gehäuse: SMD 1206. VRRM: 75V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.15A. Diodentyp: Switching. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <1.0V / 0.1A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 25nA / 20V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 4ns. Serie: TS4148

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: 063. Vorwärtsstrom [A]: 0.1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Kleinsignaldiode Oberflächenmontage (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Ifsm [A]: 2A. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 100mA. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 75V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: SMD 0805. Vorwärtsstrom (AV): 150mA. IFSM: 500mA. VRRM: 100V. RoHS: ja. Cj: 4pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsdioden. Anderer Name: IN4148. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 25nA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 45V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode mit niedriger Durchlassspannung, Oberflächenmontage (SMD). MRT (maximal): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W3U45. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.47V. Durchlassspannung Vf (min): 0.33V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 60V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode mit niedriger Durchlassspannung, Oberflächenmontage (SMD). MRT (maximal): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W3U60. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.58V. Durchlassspannung Vf (min): 0.39V

Vorwärtsstrom (AV): 0.6A. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium

Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 800V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI-S. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI-S. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI-S. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 600V. Cj: 50pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra fast switching. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V