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Halbleiter Dioden
Standard- und Gleichrichterdioden

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UG2D

UG2D

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.5x7.5mm )...
UG2D
Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 35pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: IFSM--80A/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tr: 15 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.8V
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 35pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: IFSM--80A/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tr: 15 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.8V
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Kondi...
US1M
Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Äquivalente: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Äquivalente: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V
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VS-12F120

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Vorwärtsstrom (AV): 12A. IFSM: 265A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-20...
VS-12F120
Vorwärtsstrom (AV): 12A. IFSM: 265A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 1200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Hinweis: M5 -Thread. MRT (maximal): 12mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montage/Installation: Gewindebefestigung. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.88V. Durchlassspannung Vf (min): 0.77V
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Vorwärtsstrom (AV): 12A. IFSM: 265A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 1200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Hinweis: M5 -Thread. MRT (maximal): 12mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montage/Installation: Gewindebefestigung. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.88V. Durchlassspannung Vf (min): 0.77V
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VS-60APU04-N3

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Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 600A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC 3L. Cj:...
VS-60APU04-N3
Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 600A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC 3L. Cj: 50pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 50uA. Äquivalente: 60APU04PBF, VS-60APU04PBF. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Pinbelegung 60EPUxx 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.87V
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Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 600A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC 3L. Cj: 50pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 50uA. Äquivalente: 60APU04PBF, VS-60APU04PBF. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Pinbelegung 60EPUxx 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.87V
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VS-8TQ100-M3

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Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 850A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-2 (TO-220A...
VS-8TQ100-M3
Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 850A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-2 (TO-220AC). VRRM: 100V. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Durchlassspannung Vf (min): 0.72V
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Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 850A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-2 (TO-220AC). VRRM: 100V. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Durchlassspannung Vf (min): 0.72V
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WNS40100CQ

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Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 165A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. VRR...
WNS40100CQ
Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 165A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode mit doppelter Leistung. MRT (maximal): 30mA. MRT (min): 50uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--330A (t=10ms), 363A (t=8.3ms) / diode. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.71V. Durchlassspannung Vf (min): 0.48V
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Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 165A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode mit doppelter Leistung. MRT (maximal): 30mA. MRT (min): 50uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--330A (t=10ms), 363A (t=8.3ms) / diode. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.71V. Durchlassspannung Vf (min): 0.48V
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YG911S2

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Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Kunststoff. Hinweis: 040...
YG911S2
Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Kunststoff. Hinweis: 0402-000491. Hinweis: 50Ap / 10ms
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Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Kunststoff. Hinweis: 0402-000491. Hinweis: 50Ap / 10ms
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