Standard- und Gleichrichterdioden

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST DUAL DIODE. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 110A. MRT (maximal): 300uA. MRT (min): 30uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST DUAL DIODE. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 110A. MRT (maximal): 300uA. MRT (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: AXIAL TURBO 2 DIODE. Produktionsdatum: 201506. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 40A. MRT (maximal): 12uA. MRT (min): 2uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Betriebstemperatur: -40...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--40App, t=10mS

Hinweis: 2500-V-Isolierung. Hinweis: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms. Gehäuse: DO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-247. Hinweis: Hochspannungsdiode, ultraschnelle Wiederherstellung

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hocheffiziente ultraschnelle Diode. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Hochspannungsgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Hochspannungsgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.85V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--300Ap

RoHS: ja. Gehäuse: TO-247. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 22 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hocheffiziente ultraschnelle Diode. Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 330A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: +175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V. VRRM: 200V. Spec info: Ifsm--330Ap t=10mS

Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: STTH802. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FPAC. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.8V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdioden (min, 17 ns, max, 30 ns). Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Ifsm 100Ap

Konditionierung: Rolle. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Konditionierung: Rolle. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.25V. VRRM: 400V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Konditionierungseinheit: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 0.15A. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80. VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: IFSM 0.75App/10ms

RoHS: ja. Gehäuse: SMD 0805. Cj: 4pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsdioden. Vorwärtsstrom (AV): 150mA. IFSM: 500mA. Anderer Name: IN4148. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 25nA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode mit niedriger Durchlassspannung, Oberflächenmontage (SMD). Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W3U45. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.47V. Durchlassspannung Vf (min): 0.33V. VRRM: 45V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode mit niedriger Durchlassspannung, Oberflächenmontage (SMD). Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W3U60. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.58V. Durchlassspannung Vf (min): 0.39V. VRRM: 60V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 0.6A. VRRM: 600V

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI-S

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI-S

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI-S

Cj: 50pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra fast switching. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI-S

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI-S

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI-S

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 1000V. Ifsm [A]: 33A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 75 ns. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI-S. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.7V @ 1A