Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 150V. Cj: 150pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 50mA. MRT (min): 8uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.92V. Durchlassspannung Vf (min): 0.92V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 125Ap

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 200V. Cj: 120pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 0.5mA. MRT (min): 0.1mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 40V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 50V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.67V. Durchlassspannung Vf (min): 0.67V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Vorwärtsstrom [A]: 2x10A. Ifsm [A]: 110A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 300uA..7mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.85V @ 10A

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 275A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. VRRM: 40V. Cj: 700pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: SMPS DIODE. Hinweis: Ifsm--275A/8.3mS 60Hz. Konditionierungseinheit: 30. Hinweis: Duale Siliziumdiode. Spec info: Schottky-Gleichrichterdiode

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. Gehäuse: P-600. Gehäuse (laut Datenblatt): P600 ( 8x7.5mm ). VRRM: 40V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 0.3mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.42V. Durchlassspannung Vf (min): 0.25V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--300Ap T=10mS 50Hz

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. Cj: 25pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SUPER FAST RECTIFIER. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI, S. Menge pro Karton: 1

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 75A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 30pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SUPER FAST RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 75A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SUPER FAST RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.25V. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 300V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SUPER FAST RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 150A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 (9.1x9.1mm). VRRM: 600V. Cj: 80pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 150Ap/8.3ms

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Silizium-Schottky-Gleichrichterdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: miniMELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOD-80. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 1A. Ifsm [A]: 10A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 40V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.5mA..5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.5V @ 1A

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AA. Vorwärtsstrom [A]: 2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Ifsm [A]: 55A. Durchlassspannung Vfmax (V): 0,85 V bei 2 A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 500uA..10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ). VRRM: 40V. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SK24A. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code SK24A. Spec info: Vf 0.5V/2A, IFSM 50App 8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ). VRRM: 60V. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SK26A. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.7V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code SK24A. Spec info: Vf 0.5V/2A, IFSM 50App 8.3ms

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 100A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 60V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 500uA..20mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.75V @ 3A

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 100V. Cj: 200pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 100uA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V. Anzahl der Terminals: 2. Anderer Name: SK510C. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SK510. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123FL. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 1A. Ifsm [A]: 22A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 40V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 200uA..2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.55V @ 1A

Vorwärtsstrom (AV): 165A. IFSM: 2500A. Gehäuse: DO-205. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-205. VRRM: 1200V. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweck-Leistungsgleichrichter. Montage/Installation: Gewindebefestigung. Betriebstemperatur: -40...+180°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Hinweis: M12-Gewinde, 8,2 mm Öse. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Menge pro Karton: 1. Anzahl der Terminals: 1. Spec info: Gewindegehäuse Anode, (hoher Strom)

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 10A. Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. RoHS: ja. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): DO-213AB. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 1N4007 SMD-Version. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Spec info: Ifsm 10Ap

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 1A. Ifsm [A]: 33A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 40V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 1mA..10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.9V @ 3A

Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.5x4.8mm ). VRRM: 20V. Halbleitermaterial: Sb. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.5x4.8mm ). VRRM: 60V. Halbleitermaterial: Sb. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 200A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. VRRM: 40V. Cj: 700pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Ifsm--200Ap