Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Cj: 12pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1.8us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweck-Gleichrichterdioden. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 1M. Hinweis: Gehäuse 4,6x2,7mm. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1 M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

VRRM: 100V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 2A. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <1.15V / 2A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: <100uA / 100V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 1500ns. Serie: S2

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium

VRRM: 1000V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 2A. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <1.15V / 2A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: <100uA / 1000V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 1500ns. Serie: S2

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 4.2x4.3mm. Hinweis: 50App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterdiode. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.15V. Durchlassspannung Vf (min): 1.15V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 180A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 50/60 Hz Netzgleichrichtung. MRT (maximal): 250uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: S5M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -50...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 100V. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Gehäuse: DO15. VRRM: 20V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 1A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <0.50V / 1A. Montageart: THT. Rückwärtsleckstrom: 500uA / 20V. Serie: SB1. MSL: n/a

Gehäuse: DO15. VRRM: 30V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 1A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <0.50V / 1A. Montageart: THT. Rückwärtsleckstrom: 500uA / 30V. Serie: SB1. MSL: n/a

VRRM: 40V. Gehäuse: DO15. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 1A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <0.50V / 1A. Montageart: THT. Rückwärtsleckstrom: 500uA / 40V. Serie: SB1. MSL: n/a

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 60V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.7V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 90V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. Hinweis: IFSM--50Ap/10mS. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 40V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 60V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.7V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 275A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. Hinweis: Total IF(AV) 2ch 30A. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--275A t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 100V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 175pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 0.001mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SB3200. Äquivalente: Vishay--VSB3200. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--80Ap 50Hz 8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.68V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 90V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V

VRRM: 100V. Gehäuse: DO-201. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 0.6mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 150V. Cj: 150pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 50mA. MRT (min): 8uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 125Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.92V. Durchlassspannung Vf (min): 0.92V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 200V. Cj: 120pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 0.5mA. MRT (min): 0.1mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 50V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.67V. Durchlassspannung Vf (min): 0.67V