Standard- und Gleichrichterdioden

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Silizium-Schottky-Gleichrichterdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: miniMELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOD-80. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 1A. Ifsm [A]: 10A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 40V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.5mA..5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.5V @ 1A

Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SK24A. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code SK24A. Spec info: Vf 0.5V/2A, IFSM 50App 8.3ms

Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SK26A. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.7V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V. VRRM: 60V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code SK24A. Spec info: Vf 0.5V/2A, IFSM 50App 8.3ms

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 100A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 60V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 500uA..20mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.75V @ 3A

Cj: 200pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 100uA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V. VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Anderer Name: SK510C. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SK510. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123FL. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 1A. Ifsm [A]: 22A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 40V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 200uA..2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.55V @ 1A

Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweck-Leistungsgleichrichter. Vorwärtsstrom (AV): 165A. IFSM: 2500A. Montage/Installation: Gewindebefestigung. Gehäuse: DO-205. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-205. Betriebstemperatur: -40...+180°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. VRRM: 1200V. Hinweis: M12-Gewinde, 8,2 mm Öse. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Menge pro Karton: 1. Anzahl der Terminals: 1. Spec info: Gewindegehäuse Anode, (hoher Strom)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 1A. Ifsm [A]: 33A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 40V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 1mA..10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.9V @ 3A

Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.5x4.8mm ). VRRM: 20V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.5x4.8mm ). VRRM: 60V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Cj: 700pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 200A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Ifsm--200Ap

Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 2A. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 30 v. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: 50App/8.3ms. Hinweis: Vf 0.55V

Cj: 110pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 1mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). Betriebstemperatur: -50...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm--50Ap (t=8.3ms)

Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 2A. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 50V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: 50App/8.3ms. Hinweis: Vf 0.70V

Cj: 170pF. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 2A. Vorwärtsstrom (RMS): 50A. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 1mA. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.70V. VRRM: 60V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: 50App / 8.3ms

Cj: 200pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 0.5mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Cj: 130pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.7V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V. VRRM: 60V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Cj: 72pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 0.1mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V. VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Cj: 72pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 0.1mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). Betriebstemperatur: -65°C...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. VRRM: 150V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Cj: 380pF. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 5A. Vorwärtsstrom (RMS): 150Ap / 8.3ms. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.7V. VRRM: 60V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: RMS Rew--42V

Cj: 400pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 150A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SR5100. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD DO-27 ( 5.2x9mm ). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V. VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 150Ap

Cj: 250pF. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 5A. Vorwärtsstrom (RMS): 120Ap / 8.3ms. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. VRRM: 20V. Anzahl der Terminals: 2

Cj: 175pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 150A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SR5200. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 150Ap

Cj: 100pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): SMA. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 1mA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.6V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Silizium-Schottky-Gleichrichterdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 2A. Ifsm [A]: 50A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 60V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.4mA..10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.7V @ 2A