Standard- und Gleichrichterdioden

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 2A. Hinweis: Ifsm--80A/8.2ms. Teilung: 9.5x5.3mm. VRRM: 200V. Hinweis: GI, S

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Hinweis: 125A/PP. VRRM: 400V. Hinweis: GI, S

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Hinweis: 125App/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 1000V. Hinweis: GI, S

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dämpfer . Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 60A. Hinweis: Samsung--32169-301-670. Hinweis: Samsung--CK6813Z/SEH. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 1500V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dämpfer . Vorwärtsstrom (AV): 2.5A. IFSM: 50A. Hinweis: Samsung--0402-000266. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 1500V

Cj: 55pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 65 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hyperfast Diode. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 200A. Hinweis: Hyperschnelle Diode. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 3.2V. Durchlassspannung Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V. Spec info: Ifsm--200Ap

Cj: 60pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hyperfast with Soft Recovery. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 30A. Hinweis: Hyperschnelle Diode. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm--200Ap (1 Phase, 60Hz)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 65 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hyperfast with Soft Recovery. Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: RHR30120. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 3.2V. Durchlassspannung Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V

Cj: 25pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Hinweis: Hyperschnelle Diode. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 3.2V. Durchlassspannung Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz)

RoHS: ja. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hyperschnelle Diode. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 16A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Schwellenspannung Vf (max): 2.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 100App (60Hz)

Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Teilung: 8x6.5mm. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. VRRM: 200V. Hinweis: Ultraschnelle Gleichrichterdiode

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 50V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 100V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 125 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 80A. IFSM: 500A. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 250uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-2. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Funktion: Ultraschnelle Diode

RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Recovery Diode. Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 325A. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: pinout--1

Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.48V. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Ifsm 150A/10ms. Konditionierungseinheit: 50. Hinweis: Duale Siliziumdiode

Cj: 12pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1.8us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweck-Gleichrichterdioden. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 1M. Hinweis: Gehäuse 4,6x2,7mm. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1 M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. VRRM: 200V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Oberflächenmontierte Gleichrichterdiode (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 2A. Ifsm [A]: 55A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..100uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.15V @ 2A

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Hinweis: 4.2x4.3mm. Hinweis: 50App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V