Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

Produktkategorien :

Audio (307)Automatisierung (19)Computer (56)Elektrischer Schutz (1127)Energie (1312)Freizeitelektronik (528)Gehäuse für Elektronik (1199)Halbleiter (14045)Kabel (1774)Kühlung (695)Mechanische Teile (446)Optoelektronik (1670)Passive Komponenten (13753)Relais (841)Reparieren (940)Schalter (920)Steckverbinder (5627)Transformatoren (540)Werkzeuge (1362)

Produktkategorien :

Automatisierung

Elektrischer Schutz

Freizeitelektronik

Gehäuse für Elektronik

Mechanische Teile

Passive Komponenten

Transformatoren

Halbleiter Dioden

Standard- und Gleichrichterdioden

Standard- und Gleichrichterdioden

30 v (10)

4 v (2)

15V (1)

20V (4)

25V (1)

30V (1)

35V (4)

40V (33)

45V (14)

50V (9)

60V (23)

70V (4)

75V (4)

80V (4)

85V (2)

90V (5)

100V (42)

125V (1)

150V (7)

170V (1)

200V (66)

250V (4)

300V (11)

350V (2)

400V (32)

500V (5)

530V (1)

600V (73)

650V (1)

800V (23)

1000V (50)

1200V (24)

1300V (1)

1500V (18)

1600V (6)

2000V (2)

4000V (1)

12000V (2)

16000V (1)

10A/diode (2)

120Ap / 8.3ms (1)

150A Spitze (1)

150Ap / 8.3ms (1)

155A / 50Hz, 180A / 60Hz (1)

2 X 3A (1)

2x100A (1)

2x123A (1)

2x91A (1)

2x96A (1)

400A (2x200A) (1)

40A (2x20A) (1)

50A / 10mS (1)

800 A (TP = 5us), 70 A (TP = 10 ms) (1)

80A (tp=10ms) (1)

n/a (1)

0.1A (5)

0.115A (2)

0.15A (1)

0.2A (13)

0.25A (5)

0.3A (2)

3.3mA (1)

0.36A (1)

0.5A (7)

0.6A (7)

0.75A (2)

0.8A (3)

1A (76)

1.2A (3)

1.25A (1)

1.3A (3)

1.4A (1)

1.5A (16)

15mA (3)

20mA (4)

2A (40)

2.3A (1)

2.5A (2)

30mA (2)

3A (71)

3.1A (1)

3.5A (2)

40mA (1)

4A (10)

50mA (1)

5A (39)

6A (11)

7.5A (5)

8A (26)

9A (1)

100mA (1)

10A (26)

11A (1)

120mA (1)

12A (5)

12.7A (1)

130mA (2)

150mA (3)

15A (19)

15.9A (1)

16A (6)

19A (1)

200mA (9)

20A (19)

215mA (1)

250mA (2)

25A (5)

27A (3)

28A (1)

300mA (2)

30A (44)

350mA (1)

35A (6)

37A (2)

400mA (1)

40A (18)

45A (2)

500mA (7)

50A (38)

52A (1)

55A (1)

600mA (3)

60A (16)

62A (9)

625mA (1)

70A (13)

750mA (1)

75A (14)

80A (24)

88A (1)

90A (3)

100A (32)

110A (9)

125A (8)

130A (1)

150A (26)

155A (1)

165A (2)

180A (2)

200A (12)

220A (1)

225A (1)

250A (6)

255A (1)

265A (1)

270A (1)

275A (4)

280A (1)

300A (12)

310A (1)

325A (1)

330A (2)

340A (1)

350A (1)

375A (2)

400A (6)

500A (8)

550A (1)

570A (9)

600A (4)

800A (2)

850A (1)

880A (1)

900A (1)

1200A (7)

1500A (1)

1600A (1)

2500A (1)

60.4k Ohms (6)

063 (1)

318–08, SOT–23 (TO–236AB) (1)

3x12mm (2)

425AB SMA (3.8x1.9mm) (1)

7.3x22mm (1)

A-405 (5.2x2.7mm) (1)

CASE 59-10 (7.3x3.4mm) (1)

D-PAK (1)

D-PAK ( TO-252 ) (4)

D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05 (1)

D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03 (3)

D2A ( 4.0x7.2mm ) (1)

D2PAK ( TO-263 ) (5)

DO-15 (30)

DO-15 ( 2.7x5.2mm ) (1)

DO-15 ( 3.2x6.7mm ) (4)

DO-15 ( 3.2x7.2mm ) (5)

DO-15 ( 3.3x6.4mm ) (3)

DO-15 ( 3.5x7.5mm ) (3)

DO-15 ( 6.0x3.4mm ) (1)

DO-15 ( 6.3x3.0mm ) (2)

DO-15 ( 7.6x3.6mm ) (3)

DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm (1)

DO-201 (48)

DO-201 ( 4.4x7.5mm ) (1)

DO-201 ( 4.5x7.5mm ) (2)

DO-201 ( 6.5x8.0mm ) (1)

DO-201 ( 7.5x5.4mm ) (6)

DO-201 ( 9.5x5.0mm ) (3)

DO-201AD (11)

DO-201AD ( 4.5x7.5mm ) (2)

DO-201AD ( 5.3x9.0mm ) (4)

DO-201AD ( 5.6x10mm ) (1)

DO-201AD ( 7.5x5.4mm ) (2)

DO-201AD ( 8.8x5.1mm ) (3)

DO-201AD ( 9.0x5.3mm ) (2)

DO-201AD ( 9.1x5.2mm ) (1)

DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ) (1)

DO-201AD ( 9.2x5.3mm ) (1)

DO-201AD ( 9.5x5.3mm ) (1)

DO-201AD 8x6mm (1)

DO-201AD DO-27 ( 5.2x9mm ) (1)

DO-203AB (13)

DO-203AB ( DO-5 ) (15)

DO-204 (8)

DO-204AC (3)

DO-204AL ( 2.7x5.2mm ) (3)

DO-204AL ( 5.2x2.7mm ) (1)

DO-204AP (1)

DO-205 (3)

DO-205AC (1)

DO-213 (4)

DO-213AB ( 2.5x5mm ) (4)

DO-214 (48)

DO-214AA (1)

DO-214AA (SMB) 4.57x3.94mm (1)

DO-214AB ( SMC ) (2)

DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm (2)

DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm (2)

DO-214AC (1)

DO-214AC ( SMA ) (1)

DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm (3)

DO-247 (2)

DO-27 (14)

DO-27 ( 5.2x8.0mm ) (1)

DO-27 ( 6.5x8.0mm ) (3)

DO-27 ( 9.2x5.2mm ) (4)

DO-27 ( 9x5.3mm ) (1)

DO-27 (5.4x7.5mm) (1)

DO-27 (5.6 x 9.5mm) (1)

DO-27 (9.5x5.6mm) (1)

DO-27( 5.5x9.5mm ) (2)

DO-34 (1)

DO-34 ( 1.6x3.04 ) (1)

DO-34 ( 3.4x1.6mm ) (1)

DO-34 ( SOD68 ) (3)

DO-35 (19)

DO-35 ( 1.6x3.9mm ) (1)

DO-35 ( SOD27 ) (19)

DO-4 (2)

DO-41 (46)

DO-41 ( 2.5x4.8mm ) (2)

DO-41 ( 2.6x4.8mm ) (1)

DO-41 ( 2.6x4.9mm ) (1)

DO-41 ( 2.7x5.0mm ) (1)

DO-41 ( 5.0x2.7mm ) (1)

DO-41 ( 5.2X2.7mm ) (6)

DO-41 ( 5.2x2.7 ) (1)

DO-41 ( DO-204AL ) (11)

DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ) (1)

DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ) (1)

DO-4P (2)

DO-5 (2)

DO-5P (2)

DO41 (2)

Dpak-3 (1)

ISOPLUS247 (1)

ISOPLUS247 ( TO-247 ) (1)

ISOTOP (1)

ISOTOP ( SOT227B ) (7)

ISOWATT TO-220AC (1)

P-600 (1)

P600 ( 8x7.5mm ) (1)

PCB-Löten (1)

PCB-Lötung (SMD) (5)

POWERTAB (3)

R-6 (8)

R-6 ( 8.9x8.8mm ) (1)

R-6 ( 8x7.5mm ) (3)

R-6 ( 9.1x7.2mm ) (1)

R-6 ( 9x9mm ) (1)

R-6 (8.8x7mm) (1)

R-6 (9.1x9.1mm) (1)

SMA (1)

SMA (4.6x2.8 mm) (1)

SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ) (2)

SMA DO214AC (3)

SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ) (1)

SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ) (7)

SMB (1)

SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ) (2)

SMB / DO214AA (1)

SMB CASE 403A-03 ( 4.32x3.56mm ) (1)

SMB DO-214AA (1)

SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ) (2)

SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ) (1)

SMB DO214AA (2)

SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ) (1)

SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ) (2)

SMC (8,1 x 6,2 x 2,6 mm) (1)

SMC / DO214AB (1)

SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ) (5)

SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ) (2)

SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ) (1)

SMC DO214AB (1)

SMD 0805 (1)

SOD-123 (5)

SOD-323 (8)

SOD-323 ( 1.7x1.25mm ) (1)

SOD-323F (2)

SOD-523 (2)

SOD-57 (1)

SOD-57 ( Glass ) (11)

SOD-57 Glass (8)

SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ) (1)

SOD-57 Glass passivated (2)

SOD-64 ( Glass ) (13)

SOD-64 Glass (12)

SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ) (1)

SOD-80 (1)

SOD-80 ( 3.4x1.6mm ) (1)

SOD-80 ( 3.5x1.5mm ) (1)

SOD-80C (1)

SOD-81 (6)

SOD123 (2)

SOD123 ( 2.85x1.7mm ) (1)

SOD123W SMA (2.9x1.9mm) (2)

SOT-143 (1)

SOT-143B (1)

SOT-23 (3)

SOT-23 ( TO-236 ) (16)

SOT-23 ( TO236 ) (10)

SOT-23-3 (1)

SOT-23L (1)

SOT-323 (3)

SOT323 (1)

SOT78 (TO-220AB) (1)

T0-220AB (1)

T0-220FPAB (1)

TO-220 (85)

TO-220 CASE 221A (1)

TO-220-2 (1)

TO-220-2 (TO-220AC) (1)

TO-220/2 (2)

TO-220A-2P (1)

TO-220AB (17)

TO-220AB ( SOT78 ) (4)

TO-220AB, SOT78 (1)

TO-220AC (33)

TO-220AC ( SOD59 ) (1)

TO-220AC-2 (4)

TO-220AC-2P (1)

TO-220AC-3P (4)

TO-220B (1)

TO-220F (10)

TO-220F-2L (3)

TO-220F-3 (1)

TO-220FN (1)

TO-220FP (21)

TO-220FP-3 (1)

TO-220FPAC (2)

TO-220L (1)

TO-240 (1)

TO-240AA (1)

TO-247 (28)

TO-247-2 (1)

TO-247-2LD, CASE 340CL (1)

TO-247AC (3)

TO-247AC 3L (2)

TO-247AD (15)

TO-252 (1)

TO-252A ( Dpak ) (1)

TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ) (2)

TO-263 (2)

TO-263 ( D2PAK ) (1)

TO-3FP (1)

TO-3P (5)

TO-3P ( TO-218 SOT-93 ) (6)

TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) (1)

TO220-3 (1)

TOP-3P (1)

TS-1 ( 2.5x3.3mm ) (1)

12.7k Ohms (4)

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RH2F

RH2F

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 60A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.4x7.5mm...

RH2F

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 60A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). VRRM: 1500V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dämpfer . Hinweis: Samsung--32169-301-670. Hinweis: Samsung--CK6813Z/SEH. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 60A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). VRRM: 1500V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dämpfer . Hinweis: Samsung--32169-301-670. Hinweis: Samsung--CK6813Z/SEH. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

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RH4F

RH4F

Vorwärtsstrom (AV): 2.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 6.5x8.0...

RH4F

Vorwärtsstrom (AV): 2.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1500V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dämpfer . Hinweis: Samsung--0402-000266. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V

RH4F

Vorwärtsstrom (AV): 2.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1500V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dämpfer . Hinweis: Samsung--0402-000266. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V

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RHRP15120

RHRP15120

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 200A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. VRRM...

RHRP15120

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 200A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 65 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hyperfast Diode. Hinweis: Hyperschnelle Diode. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--200Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 3.2V. Durchlassspannung Vf (min): 2.6V

RHRP15120

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 200A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 65 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hyperfast Diode. Hinweis: Hyperschnelle Diode. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--200Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 3.2V. Durchlassspannung Vf (min): 2.6V

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RHRP1560

RHRP1560

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 30A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 6...

RHRP1560

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 30A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 60pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hyperfast with Soft Recovery. Hinweis: Hyperschnelle Diode. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Spec info: Ifsm--200Ap (1 Phase, 60Hz). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V

RHRP1560

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 30A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 60pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hyperfast with Soft Recovery. Hinweis: Hyperschnelle Diode. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Spec info: Ifsm--200Ap (1 Phase, 60Hz). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V

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RHRP30120

RHRP30120

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: ...

RHRP30120

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 65 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hyperfast with Soft Recovery. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: RHR30120. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 3.2V. Durchlassspannung Vf (min): 2.6V

RHRP30120

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 65 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hyperfast with Soft Recovery. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: RHR30120. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 3.2V. Durchlassspannung Vf (min): 2.6V

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RHRP8120

RHRP8120

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1...

RHRP8120

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hyperschnelle Diode. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 3.2V. Durchlassspannung Vf (min): 2.6V

RHRP8120

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hyperschnelle Diode. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 3.2V. Durchlassspannung Vf (min): 2.6V

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RHRP860

RHRP860

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 16A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 60...

RHRP860

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 16A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: ja. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hyperschnelle Diode. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Spec info: Ifsm 100App (60Hz). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 2.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V

RHRP860

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 16A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: ja. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hyperschnelle Diode. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Spec info: Ifsm 100App (60Hz). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 2.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V

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RL4Z

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Vorwärtsstrom (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 5.2x8.0mm...

RL4Z

Vorwärtsstrom (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). VRRM: 200V. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Ultraschnelle Gleichrichterdiode. Teilung: 8x6.5mm. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V

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Vorwärtsstrom (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). VRRM: 200V. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Ultraschnelle Gleichrichterdiode. Teilung: 8x6.5mm. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V

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RS2A

RS2A

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4....

RS2A

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 50V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

RS2A

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 50V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

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RS2B

RS2B

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4....

RS2B

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 100V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

RS2B

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 100V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

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RS2D

RS2D

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4....

RS2D

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

RS2D

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

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RS2G

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RS2G

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 400V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

RS2G

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 400V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

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RS2J

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Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4....

RS2J

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

RS2J

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

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RS2K

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Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4....

RS2K

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

RS2K

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

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RS2M

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Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4....

RS2M

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

RS2M

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

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RURG80100

RURG80100

Vorwärtsstrom (AV): 80A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-2. VRRM: ...

RURG80100

Vorwärtsstrom (AV): 80A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-2. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 125 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultraschnelle Diode. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 250uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V

RURG80100

Vorwärtsstrom (AV): 80A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-2. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 125 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultraschnelle Diode. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 250uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V

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RURP3060

RURP3060

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 325A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: ...

RURP3060

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 325A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Recovery Diode. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: pinout--1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

RURP3060

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 325A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Recovery Diode. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: pinout--1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

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S16C40C

S16C40C

Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: ...

S16C40C

Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 40V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Hinweis: Duale Siliziumdiode. Hinweis: Ifsm 150A/10ms. Anzahl der Terminals: 3. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.48V

S16C40C

Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 40V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Hinweis: Duale Siliziumdiode. Hinweis: Ifsm 150A/10ms. Anzahl der Terminals: 3. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.48V

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S1M-FAI

S1M-FAI

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC. VRRM:...

S1M-FAI

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Cj: 12pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1.8us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweck-Gleichrichterdioden. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 1M. Hinweis: Gehäuse 4,6x2,7mm. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1 M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

S1M-FAI

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Cj: 12pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1.8us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweck-Gleichrichterdioden. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 1M. Hinweis: Gehäuse 4,6x2,7mm. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1 M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

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S2L20U

S2L20U

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium...

S2L20U

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium

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Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium

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S2M

S2M

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Oberflächenmontierte Gleichrichterdiode (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung ...

S2M

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Oberflächenmontierte Gleichrichterdiode (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 2A. Ifsm [A]: 55A. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.15V @ 2A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..100uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Oberflächenmontierte Gleichrichterdiode (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 2A. Ifsm [A]: 55A. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.15V @ 2A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..100uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

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S399D

S399D

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM:...

S399D

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 4.2x4.3mm. Hinweis: 50App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

S399D

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 4.2x4.3mm. Hinweis: 50App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

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S3M

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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Oberflächenmontierte Gleichrichterdiode (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung ...

S3M

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Oberflächenmontierte Gleichrichterdiode (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 110A. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.15V @ 3A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..200uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Oberflächenmontierte Gleichrichterdiode (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 110A. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.15V @ 3A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..200uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

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S3MB-13-F

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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA. VRRM...

S3MB-13-F

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterdiode. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.15V. Durchlassspannung Vf (min): 1.15V

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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterdiode. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.15V. Durchlassspannung Vf (min): 1.15V

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Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 180A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO-214AB ( 7....

S5M

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 180A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 50/60 Hz Netzgleichrichtung. MRT (maximal): 250uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: S5M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -50...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

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Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 180A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 50/60 Hz Netzgleichrichtung. MRT (maximal): 250uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: S5M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -50...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

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