Standard- und Gleichrichterdioden

Cj: 4pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Anode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ifsm--2A t=1us, 1A t=1s. Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 1A. Hinweis: CT--4pF (VR=0V, f=1.0MHz). Hinweis: Siebdruck/SMD-Code D6. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 25nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D6. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23-3. Schwellenspannung Vf (max): 1V. VRRM: 100V

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Durchmesser 8 mm x 7,5 mm. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 10A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Hinweis: ScanSwitch. Hinweis: IFSM 100Aps

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 35A. Äquivalente: MUR1100ERLG. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.75V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 1000. Spec info: IFSM

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 35A. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 2uA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): CASE 59-10 (7.3x3.4mm). Betriebstemperatur: -65...+175°C. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Gleichrichterdiode zum Schalten der Stromversorgung. Spec info: IFSM--35App

Cj: 55pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 110A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.9V. VRRM: 1200V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Ultraschnelle Erholungsdiode. Hinweis: ultraschnelle Diode. Spec info: Ifsm 110Ap

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 150A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+175°C. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 35A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: Gleichrichterdiode zum Schalten der Stromversorgung. Spec info: IFSM--35App

Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast SMPS. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 250uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.975V. Durchlassspannung Vf (min): 0.895V. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Ifsm 100Ap

Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast SMPS. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Dielektrische Struktur: gemeinsame Anode. Spec info: Ifsm 100Ap

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast SMPS. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: gemeinsame Kathode. Spec info: Ifsm 100Ap

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 70A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR4100E. Äquivalente: MUR4100ERLG. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. Schwellenspannung Vf (max): 1.85V. Durchlassspannung Vf (min): 1.53V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 125A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR420. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. Schwellenspannung Vf (max): 0.89V. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 70A. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR460. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.28V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 70A. MRT (maximal): 900uA. MRT (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR480E. Äquivalente: MUR480ERLG. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05. Schwellenspannung Vf (max): 1.85V. Durchlassspannung Vf (min): 1.53V. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SWITCHMODE Power Rectifiers. Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 550A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR 6060. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.8V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Hinweis: Ultraschnelle Erholungsdiode

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Leistungsgleichrichterdiode, Zum Schalten von Netzteilen. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U8100E. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.8V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Hinweis: ultraschnelle Gleichrichterdiode

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Leistungsgleichrichterdiode, Zum Schalten von Netzteilen. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U820. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.975V. Durchlassspannung Vf (min): 0.895V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Hinweis: ultraschnelle Gleichrichterdiode

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR860. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: Gleichrichterdiode zum Schalten der Stromversorgung. Spec info: ultraschnelle Gleichrichterdiode

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Leistungsgleichrichterdiode, Zum Schalten von Netzteilen. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U860. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: ultraschnelle Gleichrichterdiode

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Leistungsgleichrichterdiode, Zum Schalten von Netzteilen. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U880E. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.8V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Hinweis: ultraschnelle Gleichrichterdiode

Dioden-Tff (25 °C): 25 ns. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U1D. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.875V. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U1D

Dioden-Tff (25 °C): 50 ns. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 35A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U1J. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U1J

Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 75A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.875V. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U3D

Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 75A. MRT (maximal): 250uA. MRT (min): 10uA. Äquivalente: MURS360T3G, MUR360S R6. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Ultrafast Power Rectifiers. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U3J