Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 8A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Ultrafast. Hinweis: Ifsm--60Aps. Pd (Verlustleistung, max): 14W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 60A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 10pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 18 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: HFA08TB60. Äquivalente: 39.2k Ohms. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 36W. RoHS: ja. Spec info: IFRM 24A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Ultrafast. Hinweis: Ifsm 60Aps. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 50A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. MRT (maximal): 400uA. MRT (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: HFA15TB60. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 225A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 55pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. MRT (maximal): 600uA. MRT (min): 1.5uA. Äquivalente: VS-HFA25TB60-M3. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--225Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 19 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Soft Recovery Diode. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 6A. VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: D30. Hinweis: M4 -Thread. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Gehäuse: DO214AC (SMA). VRRM: 40V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 3A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <0.51V / 3A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 50uA / 40V. Information: 3rd Gen. Serie: L217

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -50...+175°C

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 100V. Cj: 4pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Schaltgleichrichter. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 25nA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: IFSM--2Ap (tp=1us). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.62V

Gehäuse: miniMELF. VRRM: 75V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.2A. Diodentyp: Switching. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): 1V / 100mA. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 5uA / 75V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 4ns. Serie: LL4448

Vorwärtsstrom (AV): 1A. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SAMSUNG

Vorwärtsstrom (AV): 0.1A. VRRM: 80V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Duale Siliziumdiode

Gehäuse: SOD123. VRRM: 30V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.5A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): 0.43V / 0.5A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 130uA / 30V. Serie: MBRB

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 0.008mA. MRT (min): 8uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.88V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 0.008mA. MRT (min): 8uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.88V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2P. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 0.2mA. MRT (min): 0.2mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.99V. Durchlassspannung Vf (min): 0.87V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 45V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: B1045. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 60V. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 150A. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 0.1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B1060. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 7.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 60V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Diode zum Schalten der Stromversorgung. Hinweis: 15A/150App. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 45V. Cj: 500pF. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: „Barrieregleichrichter“. Äquivalente: MBR1645G. Anzahl der Terminals: 2. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: Ifsm 150App / 8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.63V

Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 45V. Cj: 500pF. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: „Barrieregleichrichter“. Anzahl der Terminals: 3. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.63V. Durchlassspannung Vf (min): 0.57V

Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 60V. Cj: 500pF. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: „Barrieregleichrichter“. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.65V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 60V. Cj: 400pF. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: „Barrieregleichrichter“. Anzahl der Terminals: 3. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.65V