Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 60V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 0.1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B1060. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V

Vorwärtsstrom (AV): 7.5A. IFSM: 75A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 45V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Diode für Schaltnetzteil, doppelt, Schottky. MRT (maximal): 15mA. MRT (min): 0.1mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.84V. Durchlassspannung Vf (min): 0.57V. Spec info: total 15A (150Ap t=8.3ms)

Vorwärtsstrom (AV): 7.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 60V. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 60V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 1mA..50mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Diode zum Schalten der Stromversorgung. Hinweis: 15A/150App. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 45V. Cj: 500pF. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: „Barrieregleichrichter“. Äquivalente: MBR1645G. Anzahl der Terminals: 2. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.63V. Spec info: Ifsm 150App / 8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 45V. Cj: 500pF. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: „Barrieregleichrichter“. Anzahl der Terminals: 3. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.63V. Durchlassspannung Vf (min): 0.57V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 60V. Cj: 500pF. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: „Barrieregleichrichter“. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.65V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 60V. Cj: 400pF. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: „Barrieregleichrichter“. Anzahl der Terminals: 3. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.65V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 100V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B20100G. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 100V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 0.1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B20100G. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz

Vorwärtsstrom (AV): 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 150V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Hinweis: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Hinweis: 20A/150App. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 75A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220-3. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 0.05mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. Hinweis: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Spec info: Ifsm 150Ap (peak total)

Vorwärtsstrom (AV): 10A/diode. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 45V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Doppelt: Doppelt. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Spec info: total 20A, IFSM 150App

Vorwärtsstrom (AV): 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 60V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Hinweis: 20A/150App. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Hinweis: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 250A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 45V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. MRT (maximal): 60mA. MRT (min): 1mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.72V. Durchlassspannung Vf (min): 0.6V. Spec info: IFSM--250Ap, t=8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 250A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 60V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. MRT (maximal): 60mA. MRT (min): 1mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.65V. Spec info: IFSM--250Ap, t=8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 100V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1500. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B3100. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.69V. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 60V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1500. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B340. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. Spec info: IFMS 80App/8.3ms, 60Hz

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 60V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1500. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Sb. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B360. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.08V. Durchlassspannung Vf (min): 0.6V. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz

Vorwärtsstrom (AV): 40A. IFSM: 80A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220 CASE 221A. VRRM: 250V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Schaltnetzteil, Leistungsgleichrichter. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.97V. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V

Vorwärtsstrom (AV): 40A (2x20A). IFSM: 400A (2x200A). Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 45V. Menge pro Karton: 2. Dielektrisches Material: gemeinsame Kathode. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -60...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.8V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V

Vorwärtsstrom (AV): 7.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 45V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Diode zum Schalten der Stromversorgung. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 7.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 60V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Diode zum Schalten der Stromversorgung. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Vorwärtsstrom [A]: 2 X 3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Ifsm [A]: 75A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 50V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.1mA..15mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.7V @ 3A

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 75A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): Dpak-3. VRRM: 35V. Funktion: „Hochspannungs-Schottky“. MRT (maximal): 35mA. MRT (min): 1.4mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 853LG. RoHS: ja. Schottky-Diode?: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.51V. Durchlassspannung Vf (min): 0.41V

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 100V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V. Hinweis: Duale Siliziumdiode. Spec info: Ifsm 150Ap