Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 250A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 45V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. MRT (maximal): 60mA. MRT (min): 1mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--250Ap, t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.72V. Durchlassspannung Vf (min): 0.6V

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 250A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 60V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. MRT (maximal): 60mA. MRT (min): 1mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--250Ap, t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.65V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 100V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1500. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B3100. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.69V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 60V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1500. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B340. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: IFMS 80App/8.3ms, 60Hz. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 60V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1500. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Sb. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B360. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.08V. Durchlassspannung Vf (min): 0.6V

Vorwärtsstrom (AV): 40A. IFSM: 80A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220 CASE 221A. VRRM: 250V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Schaltnetzteil, Leistungsgleichrichter. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.97V. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V

Vorwärtsstrom (AV): 40A (2x20A). IFSM: 400A (2x200A). Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 45V. Menge pro Karton: 2. Dielektrisches Material: gemeinsame Kathode. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -60...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.8V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V

Vorwärtsstrom (AV): 7.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 45V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Diode zum Schalten der Stromversorgung. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 7.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 60V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Diode zum Schalten der Stromversorgung. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Vorwärtsstrom [A]: 2 X 3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode, SMD-Bestückung. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Ifsm [A]: 75A. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.7V @ 3A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 50V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.1mA..15mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 75A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): Dpak-3. VRRM: 35V. Funktion: „Hochspannungs-Schottky“. MRT (maximal): 35mA. MRT (min): 1.4mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 853LG. RoHS: ja. Schottky-Diode?: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.51V. Durchlassspannung Vf (min): 0.41V

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 100V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Hinweis: Duale Siliziumdiode. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO-214AA. VRRM: 40V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Vf 0.6V/1A. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code B14L. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA. VRRM: 90V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B19. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code B19. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 130A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 100V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B310. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B320. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Vf 0.84V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.84V. Durchlassspannung Vf (min): 0.84V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 30 v. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B33. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Vf 0.50V/3A, (If=3.0A, TJ=25°C). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 40V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B34. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Vf 0.525V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.525V. Durchlassspannung Vf (min): 0.525V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB CASE 403A-03 ( 4.32x3.56mm ). VRRM: 60V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B36. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.74V. Durchlassspannung Vf (min): 0.74V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B36. Äquivalente: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.74V. Durchlassspannung Vf (min): 0.74V

Vorwärtsstrom (AV): 75A. IFSM: 1200A. Gehäuse: TO-240. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-240AA. VRRM: 1200V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diodenmodul, „Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)“. Hinweis: Ifsm--TVJ=45°C; t=10ms (50 Hz) 1200A. Hinweis: Abmessungen 92x20,8x30mm. Hinweis: 2-Dioden-Modul. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Isolierung 3600V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.58V. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V

Vorwärtsstrom (AV): 880A. IFSM: n/a. VRRM: 400V. Pinbelegung: M6-Schrauben (x3). Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Netzdiodenmodul, Hochstrom. Anzahl der Terminals: 3. Abmessungen: 94x34x30mm. Pd (Verlustleistung, max): 1100W. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--Tvj=25°C, tP=10ms 13000A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Elektrische Isolierung: 3600V, 50/60Hz. Technologie: Duale gemeinsame Kathodendiode (HiPerFREDTM). Betriebstemperatur: -40...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23-3. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Anode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ifsm--2A t=1us, 1A t=1s. Hinweis: CT--4pF (VR=0V, f=1.0MHz). Hinweis: Siebdruck/SMD-Code D6. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 25nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D6. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Durchmesser 8 mm x 7,5 mm. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: ScanSwitch. Hinweis: IFSM 100Aps. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage