Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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MBR10100CT

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MBR10100CT. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. MRT (maximal): 0.008mA. MRT (min): 8uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.88V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V. VRRM: 100V. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.

Technische Dokumentation

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Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. MRT (maximal): 0.2mA. MRT (min): 0.2mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.99V. Durchlassspannung Vf (min): 0.87V. VRRM: 200V. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)
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Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 150A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B20100G. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz
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