Standard- und Gleichrichterdioden

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 8A. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Hinweis: Ultrafast. Hinweis: Ifsm 60Aps

Cj: 25pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 400uA. MRT (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: HFA15TB60. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A)

Cj: 55pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 225A. MRT (maximal): 600uA. MRT (min): 1.5uA. Äquivalente: VS-HFA25TB60-M3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--225Ap

Cj: 25pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 19 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Soft Recovery Diode. Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 150A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 25. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 6A. Hinweis: D30. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. VRRM: 800V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Kleinsignaldiode Oberflächenmontage (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD80C (MiniMELF). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 0.15A. Ifsm [A]: 2A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 25nA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 10mA. Gehäuse (JEDEC-Standard): 0.5W

Cj: 4pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Schaltgleichrichter. Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 2A. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 25nA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.62V. VRRM: 100V. Spec info: IFSM--2Ap (tp=1us)

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Hinweis: SAMSUNG. VRRM: 600V

Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 0.1A. VRRM: 80V. Hinweis: Duale Siliziumdiode

Gehäuse: SOD123. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): 0.43V / 0.5A. Montageart: SMD. VRRM: 30V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.5A. Rückwärtsleckstrom: 130uA / 30V. Produktserie: MBRB. MSL: 1

RoHS: ja. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 150A. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 0.1mA. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220A-2P. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V. VRRM: 100V

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. MRT (maximal): 0.008mA. MRT (min): 8uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.88V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V. VRRM: 100V. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. MRT (maximal): 0.008mA. MRT (min): 8uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.88V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V. VRRM: 150V. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 10A. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2P. VRRM: 200V

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. MRT (maximal): 0.2mA. MRT (min): 0.2mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.99V. Durchlassspannung Vf (min): 0.87V. VRRM: 200V. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 150A. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 0.1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B1060. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V. VRRM: 60V

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Diode für Schaltnetzteil, doppelt, Schottky. Vorwärtsstrom (AV): 7.5A. IFSM: 75A. MRT (maximal): 15mA. MRT (min): 0.1mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.84V. Durchlassspannung Vf (min): 0.57V. VRRM: 45V. Spec info: total 15A (150Ap t=8.3ms)

Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 60V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 1mA..50mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 7.5A. Hinweis: Diode zum Schalten der Stromversorgung. Hinweis: 15A/150App. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 60V

Cj: 500pF. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: „Barrieregleichrichter“. Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Anzahl der Terminals: 3. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.63V. Durchlassspannung Vf (min): 0.57V. VRRM: 45V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Cj: 500pF. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Hinweis: „Barrieregleichrichter“. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.65V. VRRM: 60V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Cj: 400pF. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: „Barrieregleichrichter“. Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Anzahl der Terminals: 3. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.65V. VRRM: 60V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 150A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B20100G. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 150A. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 0.1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B20100G. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Vorwärtsstrom (AV): 10A. Hinweis: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Hinweis: 20A/150App. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 150V

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 75A. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 0.05mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220-3. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. VRRM: 200V. Hinweis: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Spec info: Ifsm 150Ap (peak total)