Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. Cj: 25pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Äquivalente: HER105G. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Anzahl der Terminals: 2

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Äquivalente: HER108G. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Anzahl der Terminals: 2

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A Spitze. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 (5.6 x 9.5mm). VRRM: 200V. Cj: 70pF. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -60...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 300V. Cj: 80pF. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Gewicht: 1.1g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 (9.5x5.6mm). VRRM: 400V. Cj: 70pF. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Menge pro Karton: 1. Gewicht: 0.4g. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Gewicht: 1.1g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 150A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Cj: 65pF. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tr: 75 ns. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Spec info: 150Ap/8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 8A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 14W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Hinweis: Ultrafast. Hinweis: Ifsm--60Aps

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 60A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 10pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 18 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: HFA08TB60. Äquivalente: 39.2k Ohms. Pd (Verlustleistung, max): 36W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: IFRM 24A

Vorwärtsstrom (AV): 8A. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Hinweis: Ultrafast. Hinweis: Ifsm 60Aps

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 50A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. MRT (maximal): 400uA. MRT (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: HFA15TB60. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A)

Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 225A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 55pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. MRT (maximal): 600uA. MRT (min): 1.5uA. Äquivalente: VS-HFA25TB60-M3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--225Ap

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 19 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Soft Recovery Diode. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 25. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms

Vorwärtsstrom (AV): 6A. VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: D30. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Kleinsignaldiode Oberflächenmontage (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD80C (MiniMELF). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 0.15A. Ifsm [A]: 2A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 25nA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 10mA. Gehäuse (JEDEC-Standard): 0.5W

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 100V. Cj: 4pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Schaltgleichrichter. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 25nA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.62V. Spec info: IFSM--2Ap (tp=1us)

Vorwärtsstrom (AV): 1A. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SAMSUNG

Vorwärtsstrom (AV): 0.1A. VRRM: 80V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Duale Siliziumdiode

Gehäuse: SOD123. VRRM: 30V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.5A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): 0.43V / 0.5A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 130uA / 30V. Produktserie: MBRB. MSL: 1

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220A-2P. VRRM: 100V. RoHS: ja. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 0.1mA. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 0.008mA. MRT (min): 8uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.88V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 0.008mA. MRT (min): 8uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.88V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Vorwärtsstrom (AV): 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2P. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 0.2mA. MRT (min): 0.2mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.99V. Durchlassspannung Vf (min): 0.87V. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Vorwärtsstrom (AV): 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 45V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: B1045. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage