Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 1A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GL

Vorwärtsstrom (AV): 3A. VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GL. Hinweis: 125A/8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 3A. VRRM: 150V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GL. Hinweis: 125A/8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: gemeinsame Kathode. Hinweis: Dual Ultrafast Plastic Rectifier. Hinweis: Ifsm 125Aps/8.3ms. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 300A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 200V. Cj: 175pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Doppelte ultraschnelle Gleichrichterdiode, gemeinsame Kathode. Hinweis: gemeinsame Kathode. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 300A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 145pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Doppelte ultraschnelle Gleichrichterdiode, gemeinsame Kathode. Hinweis: gemeinsame Kathode. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 1200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hochspannung und hohe Zuverlässigkeit. Hinweis: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: Ifsm--30App

Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 60A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35ms. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast with soft recovery. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Niedrige Durchlassspannung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 32 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <35ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.15V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 50A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-2L. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 34 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <40ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.2V. Durchlassspannung Vf (min): 2V

Vorwärtsstrom (AV): 6A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-3. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Trr-Diode (Min.): 90 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dämpfer + Modulationsdiode . Hinweis: Dd--Vf--1.4...1.6V, Dm--Vf--2.0...2.2V. Hinweis: Dd--Trr--120ns, Dm--Trr--90ns. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Dd--1500V/6A/60Ap, Dm--600V/20A/120Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C

Vorwärtsstrom (AV): 50A. IFSM: 280A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-2LD, CASE 340CL. VRRM: 1200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMPS, Solarwechselrichter, USV, Stromschaltkreise. MRT (maximal): 400uA. MRT (min): 200uA. Anzahl der Terminals: 2. Schottky-Diode?: ja. Spec info: Ifsm--280App. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon Carbide (SiC) Schottky. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.75V. Durchlassspannung Vf (min): 1.45V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 40V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Schottky-Diode. Hinweis: Duale Siliziumdiode. Hinweis: Ifsm--60A/50Hz. Anzahl der Terminals: 3. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V

Vorwärtsstrom (AV): 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220/2. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220/2. VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SAMSUNG CHASS.KS3A D802. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Hinweis: SAMSUNG. Hinweis: -RECTIFIER

Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 0402-000491. Hinweis: YG911S2. Hinweis: -RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 2.5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SAMSUNG 0402-000431. Hinweis: Gleichrichterdiode. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Gehäuse (laut Datenblatt): TOP-3P. Hinweis: Duale Siliziumdiode. Hinweis: DAMPER +MODULATION. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 1500V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Duale Siliziumdiode. Hinweis: Schottky-Diode. Hinweis: Ifsm--50A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: „Fast-Recovery-Gleichrichter“. Hinweis: 30App/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 200V. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Fast-Recovery-Gleichrichter“. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 30App/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V

Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15. VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: 60App/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: 60App/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15. VRRM: 1000V. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V