Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI, S

Vorwärtsstrom (AV): 3A. VRRM: 1500V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 9x7mm. Hinweis: MONITOR DAMP. Hinweis: D09.15

Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 30App/8,3ms, ES1D SMD-Markierung. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Hinweis: Superschnelle Gleichrichterdiode zur Oberflächenmontage

Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 30App/8,3ms, ES1G SMD-Markierung. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Superschnelle Gleichrichterdiode zur Oberflächenmontage

Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 30App/8,3ms, ES1J SMD-Markierung. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Superschnelle Gleichrichterdiode zur Oberflächenmontage

Vorwärtsstrom (AV): 30A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. VRRM: 40V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Schottky-Diode. Hinweis: Ifsm--250A. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Hinweis: Duale Siliziumdiode

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 80A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3FP. VRRM: 1500V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Trr-Diode (Min.): 0.15us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Verlustarmer Super-Hochgeschwindigkeitsgleichrichter. Hinweis: DAMPER +MODULATION. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: CO23M-15 (C023M-15). Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V. Spec info: IFSM--50/80Ap, t=10mS

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 200V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: ULTRA FAST ->l<-. Hinweis: Ifsm--50A/10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 0.8A. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI, S

Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. Cj: 55pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Duale Fast-Recovery-Diode. Hinweis: gemeinsame Kathode. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm 100A (t=10ms)

Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TS-1 ( 2.5x3.3mm ). VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 30Ap/8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 1A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GL

Vorwärtsstrom (AV): 3A. VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GL. Hinweis: 125A/8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 3A. VRRM: 150V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GL. Hinweis: 125A/8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: gemeinsame Kathode. Hinweis: Dual Ultrafast Plastic Rectifier. Hinweis: Ifsm 125Aps/8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 300A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 200V. Cj: 175pF. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Doppelte ultraschnelle Gleichrichterdiode, gemeinsame Kathode. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: gemeinsame Kathode. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 300A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 145pF. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Doppelte ultraschnelle Gleichrichterdiode, gemeinsame Kathode. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: gemeinsame Kathode. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 1200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Ifsm--30App. Hinweis: Hochspannung und hohe Zuverlässigkeit

Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 60A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35ms. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast with soft recovery. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Niedrige Durchlassspannung

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 32 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 100uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.15V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <35ns

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 50A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-2L. VRRM: 600V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 34 ns. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.2V. Durchlassspannung Vf (min): 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <40ns

Vorwärtsstrom (AV): 6A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-3. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Trr-Diode (Min.): 90 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dämpfer + Modulationsdiode . RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Dd--Vf--1.4...1.6V, Dm--Vf--2.0...2.2V. Hinweis: Dd--Trr--120ns, Dm--Trr--90ns. Spec info: Dd--1500V/6A/60Ap, Dm--600V/20A/120Ap

Vorwärtsstrom (AV): 50A. IFSM: 280A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-2LD, CASE 340CL. VRRM: 1200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 400uA. MRT (min): 200uA. Schottky-Diode?: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon Carbide (SiC) Schottky. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.75V. Durchlassspannung Vf (min): 1.45V. Anzahl der Terminals: 2. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Funktion: SMPS, Solarwechselrichter, USV, Stromschaltkreise. Spec info: Ifsm--280App

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 40V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Sb. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Schottky-Diode. Hinweis: Ifsm--60A/50Hz. Konditionierungseinheit: 50. Hinweis: Duale Siliziumdiode

Vorwärtsstrom (AV): 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220/2. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2