Standard- und Gleichrichterdioden

Cj: 55pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Duale Fast-Recovery-Diode. Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 100A. Hinweis: gemeinsame Kathode. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V. Spec info: Ifsm 100A (t=10ms)

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Hinweis: 30Ap/8.3ms. Gehäuse (laut Datenblatt): TS-1 ( 2.5x3.3mm ). VRRM: 400V

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. VRRM: 200V. Hinweis: GL

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. VRRM: 100V. Hinweis: GL. Hinweis: 125A/8.3ms

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. VRRM: 150V. Hinweis: GL. Hinweis: 125A/8.3ms

Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 8A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: gemeinsame Kathode. Hinweis: Dual Ultrafast Plastic Rectifier. Hinweis: Ifsm 125Aps/8.3ms

Cj: 175pF. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Doppelte ultraschnelle Gleichrichterdiode, gemeinsame Kathode. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 300A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: gemeinsame Kathode. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms

Cj: 145pF. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Doppelte ultraschnelle Gleichrichterdiode, gemeinsame Kathode. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 300A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: gemeinsame Kathode. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 1200V. Hinweis: Ifsm--30App. Hinweis: Hochspannung und hohe Zuverlässigkeit

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35ms. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast with soft recovery. Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 60A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-2L. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Niedrige Durchlassspannung

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 32 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 100uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-2L. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.15V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <35ns

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 34 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 50A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-2L. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.2V. Durchlassspannung Vf (min): 2V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <40ns

Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Trr-Diode (Min.): 90 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dämpfer + Modulationsdiode . Vorwärtsstrom (AV): 6A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Dd--Vf--1.4...1.6V, Dm--Vf--2.0...2.2V. Hinweis: Dd--Trr--120ns, Dm--Trr--90ns. Spec info: Dd--1500V/6A/60Ap, Dm--600V/20A/120Ap

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 50A. IFSM: 280A. MRT (maximal): 400uA. MRT (min): 200uA. Schottky-Diode?: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon Carbide (SiC) Schottky. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-2LD, CASE 340CL. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.75V. Durchlassspannung Vf (min): 1.45V. VRRM: 1200V. Anzahl der Terminals: 2. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Funktion: SMPS, Solarwechselrichter, USV, Stromschaltkreise. Spec info: Ifsm--280App

Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60A. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Schottky-Diode. Hinweis: Ifsm--60A/50Hz. Konditionierungseinheit: 50. Hinweis: Duale Siliziumdiode

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 4A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220/2. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220/2. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: SAMSUNG CHASS.KS3A D802

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 200V. Hinweis: SAMSUNG. Hinweis: -RECTIFIER

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 5A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: 0402-000491. Hinweis: YG911S2. Hinweis: -RECTIFIER

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 2.5A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 200V. Hinweis: SAMSUNG 0402-000431. Hinweis: Gleichrichterdiode

Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TOP-3P. Hinweis: DAMPER +MODULATION. Hinweis: Duale Siliziumdiode

Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 5A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 1500V. Hinweis: Schottky-Diode. Hinweis: Ifsm--50A. Hinweis: Duale Siliziumdiode

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Hinweis: „Fast-Recovery-Gleichrichter“. Hinweis: 30App/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 100V

Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Fast-Recovery-Gleichrichter“. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. VRRM: 200V. Spec info: 30App/8.3ms

Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: 60App/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15. VRRM: 400V