Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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DSEI30-06A

DSEI30-06A

Vorwärtsstrom (AV): 37A. IFSM: 375A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: ...
DSEI30-06A
Vorwärtsstrom (AV): 37A. IFSM: 375A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 600V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.6V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C
DSEI30-06A
Vorwärtsstrom (AV): 37A. IFSM: 375A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 600V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.6V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C
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DSEI30-10A

DSEI30-10A

Vorwärtsstrom (AV): 37A. IFSM: 375A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: ...
DSEI30-10A
Vorwärtsstrom (AV): 37A. IFSM: 375A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1000V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Pd (Verlustleistung, max): 138W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.4V. Durchlassspannung Vf (min): 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C
DSEI30-10A
Vorwärtsstrom (AV): 37A. IFSM: 375A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1000V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Pd (Verlustleistung, max): 138W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.4V. Durchlassspannung Vf (min): 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C
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DSEI30-12A

DSEI30-12A

Vorwärtsstrom (AV): 28A. IFSM: 200A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: ...
DSEI30-12A
Vorwärtsstrom (AV): 28A. IFSM: 200A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Pd (Verlustleistung, max): 138W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.55V. Durchlassspannung Vf (min): 2.2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C
DSEI30-12A
Vorwärtsstrom (AV): 28A. IFSM: 200A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Pd (Verlustleistung, max): 138W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.55V. Durchlassspannung Vf (min): 2.2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C
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DSEI60-10A

DSEI60-10A

Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: ...
DSEI60-10A
Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1000V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Pd (Verlustleistung, max): 189W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C
DSEI60-10A
Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1000V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Pd (Verlustleistung, max): 189W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C
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DSEI60-12A

DSEI60-12A

Vorwärtsstrom (AV): 52A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: ...
DSEI60-12A
Vorwärtsstrom (AV): 52A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Pd (Verlustleistung, max): 189W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.55V. Durchlassspannung Vf (min): 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C
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Vorwärtsstrom (AV): 52A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Pd (Verlustleistung, max): 189W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.55V. Durchlassspannung Vf (min): 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C
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DSEK60-06A

DSEK60-06A

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: ...
DSEK60-06A
Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Doppelt: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 50uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode (FRED)“. Schwellenspannung Vf (max): 1.6V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS
DSEK60-06A
Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Doppelt: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 50uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode (FRED)“. Schwellenspannung Vf (max): 1.6V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS
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DSEP12-12A

DSEP12-12A

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 90A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1...
DSEP12-12A
Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 90A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diode „sanfte Erholung“. MRT (maximal): 0.5mA. MRT (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 95W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.75V. Durchlassspannung Vf (min): 1.79V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C
DSEP12-12A
Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 90A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diode „sanfte Erholung“. MRT (maximal): 0.5mA. MRT (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 95W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.75V. Durchlassspannung Vf (min): 1.79V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C
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DSEP60-12A

DSEP60-12A

Vorwärtsstrom (AV): 70A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: ...
DSEP60-12A
Vorwärtsstrom (AV): 70A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diode „sanfte Erholung“. MRT (maximal): 2.5mA. MRT (min): 650uA. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.66V. Durchlassspannung Vf (min): 1.74V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C
DSEP60-12A
Vorwärtsstrom (AV): 70A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diode „sanfte Erholung“. MRT (maximal): 2.5mA. MRT (min): 650uA. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.66V. Durchlassspannung Vf (min): 1.74V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C
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DSEP60-12AR

DSEP60-12AR

Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): I...
DSEP60-12AR
Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diode „sanfte Erholung“. MRT (maximal): 2.5mA. MRT (min): 650uA. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.66V. Durchlassspannung Vf (min): 1.74V. Konditionierungseinheit: 10. Anzahl der Terminals: 2. Konfiguration: Isoliertes Gehäuse, ohne Bohren. Menge pro Karton: 1. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C
DSEP60-12AR
Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diode „sanfte Erholung“. MRT (maximal): 2.5mA. MRT (min): 650uA. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.66V. Durchlassspannung Vf (min): 1.74V. Konditionierungseinheit: 10. Anzahl der Terminals: 2. Konfiguration: Isoliertes Gehäuse, ohne Bohren. Menge pro Karton: 1. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C
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DSP25-16AR

DSP25-16AR

Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1600V. Dielektrische Struktur: Gemeins...
DSP25-16AR
Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1600V. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Standard Rectifier. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.16V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Zentralzweig (Kathode D1, Anode D2, in Reihe)
DSP25-16AR
Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1600V. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Standard Rectifier. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.16V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Zentralzweig (Kathode D1, Anode D2, in Reihe)
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DTV1500HD

DTV1500HD

Vorwärtsstrom (AV): 6A. Vorwärtsstrom (RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). Gehäuse: TO-220. Gehäuse ...
DTV1500HD
Vorwärtsstrom (AV): 6A. Vorwärtsstrom (RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1500V. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Verschiedenes: Hochspannungs-Dämpferdiode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT Horizontal Deflection. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 100uA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 2.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. Anzahl der Terminals: 2
DTV1500HD
Vorwärtsstrom (AV): 6A. Vorwärtsstrom (RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1500V. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Verschiedenes: Hochspannungs-Dämpferdiode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT Horizontal Deflection. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 100uA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 2.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. Anzahl der Terminals: 2
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DTV1500LFP

DTV1500LFP

Vorwärtsstrom (AV): 15A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. H...
DTV1500LFP
Vorwärtsstrom (AV): 15A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Hinweis: IF(AV) 4A, Vf typ 1.5V. Hinweis: Hochspannungs-Dämpferdiode
DTV1500LFP
Vorwärtsstrom (AV): 15A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Hinweis: IF(AV) 4A, Vf typ 1.5V. Hinweis: Hochspannungs-Dämpferdiode
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DTV32F-1500

DTV32F-1500

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 75A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 1...
DTV32F-1500
Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 75A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 1500V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Temperatur: +150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--75Ap T=10mS
DTV32F-1500
Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 75A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 1500V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Temperatur: +150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--75Ap T=10mS
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EG1Z-V1

EG1Z-V1

Vorwärtsstrom (AV): 0.8A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SPEC.SONY DIODA. Hinwe...
EG1Z-V1
Vorwärtsstrom (AV): 0.8A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SPEC.SONY DIODA. Hinweis: SONY 871904678
EG1Z-V1
Vorwärtsstrom (AV): 0.8A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SPEC.SONY DIODA. Hinweis: SONY 871904678
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EGP10B

EGP10B

Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100...
EGP10B
Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: 30Ap/8.3ms. Hinweis: Hocheffiziente Gleichrichter
EGP10B
Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: 30Ap/8.3ms. Hinweis: Hocheffiziente Gleichrichter
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100...
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200...
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300...
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400...
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Gl, S. Hinweis: 75Ap/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 4...
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Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Diode. Hinweis: Gl, S. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Spec info: 150Ap / 8.3ms
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Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Diode. Hinweis: Gl, S. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Spec info: 150Ap / 8.3ms
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2x2.7 ). ...
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Spec info: 30Ap
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Spec info: 30Ap
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB / DO214AA. VRR...
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB / DO214AA. VRRM: 600V. Cj: 15pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 300uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tr: 75 ns. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V
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Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB / DO214AA. VRRM: 600V. Cj: 15pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 300uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tr: 75 ns. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V
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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC / DO214AB. VR...
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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC / DO214AB. VRRM: 600V. Cj: 20pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 300uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tr: 75 ns. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V
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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC / DO214AB. VRRM: 600V. Cj: 20pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 300uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tr: 75 ns. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V
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Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. VRRM: 800V. Halbleitermaterial: Silizium...
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Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. VRRM: 800V. Halbleitermaterial: Silizium
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Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. VRRM: 800V. Halbleitermaterial: Silizium
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VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SAMSUNG. Hinweis: B29-04.79...
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VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SAMSUNG. Hinweis: B29-04.79
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VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SAMSUNG. Hinweis: B29-04.79
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