Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220/2. VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: SAMSUNG CHASS.KS3A D802

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Hinweis: SAMSUNG. Hinweis: -RECTIFIER

Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: 0402-000491. Hinweis: YG911S2. Hinweis: -RECTIFIER

Vorwärtsstrom (AV): 2.5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Hinweis: SAMSUNG 0402-000431. Hinweis: Gleichrichterdiode

Gehäuse (laut Datenblatt): TOP-3P. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Hinweis: DAMPER +MODULATION. Hinweis: Duale Siliziumdiode

Vorwärtsstrom (AV): 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 1500V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Hinweis: Schottky-Diode. Hinweis: Ifsm--50A. Hinweis: Duale Siliziumdiode

Vorwärtsstrom (AV): 1A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: „Fast-Recovery-Gleichrichter“. Hinweis: 30App/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 200V. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Fast-Recovery-Gleichrichter“. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Spec info: 30App/8.3ms

Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15. VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: 60App/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: 60App/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15. VRRM: 1000V. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS

Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AC ( SMA ). VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 30App/10ms

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 60A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 30pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: FAST RECOVERY RECTIFIER. Hinweis: IFSM--200Ap/8.3mS. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 200V. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Hinweis: 100App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+150°C

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 600V. Cj: 60pF. Trr-Diode (Min.): 500 sn. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm 100App / 8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=10ms)

Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). VRRM: 1000V. Cj: 100pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.1x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Recovery Rectifier. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium

Vorwärtsstrom (AV): 0.25A. IFSM: 15A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 4000V. Cj: 3pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 2us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochspannungs-Glaspassivierter Sperrschichtgleichrichter“. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 3V. Durchlassspannung Vf (min): 3V. Spec info: IFSM--15App/8.3mS

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 200V. Cj: 25pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hocheffiziente Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Äquivalente: HER103G. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Anzahl der Terminals: 2