Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 15.9A. IFSM: 300A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3. VRRM: 600V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Fast-Recovery-Gleichrichter“. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.6V

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 255A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220L. VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Recovery Rectifiers. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.6V. Durchlassspannung Vf (min): 1.6V

Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 350A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Hinweis: Kathode (1), Anode (2), nicht verbunden (3). Hinweis: isoliertes TO220-Gehäuse. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: 350Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.6V. Durchlassspannung Vf (min): 1.6V

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. Gehäuse: SOT-323. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-323. VRRM: 20V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Ultra High Speed Switching. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code UMD3. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: UMD3. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Vorwärtsstrom (AV): 20mA. IFSM: 500mA. Gehäuse (laut Datenblatt): 3x12mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungsgleichrichterdiode. MRT (min): 5uA. Abmessungen: 3x12mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Brennbarkeitsklasse: UL94V-0. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 40V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Vorwärtsstrom (AV): 20mA. IFSM: 500mA. Gehäuse (laut Datenblatt): 3x12mm. VRRM: 16000V. Cj: 1.8pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungsgleichrichterdiode. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 3x12mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Brennbarkeitsklasse: UL94V-0. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 40V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 1500V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Ultrahigh-Definition Display Applications. Hinweis: 50App/10ms, Silicon Diffused Junction Type. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 180A. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263. VRRM: 300V. Cj: 90pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hocheffiziente ultraschnelle Diode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 20LC30. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: IFSM--180Ap (1cycle). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 1500V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 20us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: DIODE-RECTIFIER. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DGP30L. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V

Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): T0-220FPAB. VRRM: 1500V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Duale Siliziumdiode. Hinweis: DAMPER +MODULATION. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): T0-220AB. VRRM: 1500V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Duale Siliziumdiode. Hinweis: DAMPER +MODULATION. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 11A. IFSM: 75A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 78W. RoHS: ja. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.6V. Durchlassspannung Vf (min): 2.2A

Vorwärtsstrom (AV): 100A. IFSM: 600A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 1.5mA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 357W. RoHS: ja. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode (FRED)“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.8V. Durchlassspannung Vf (min): 1.55V

Vorwärtsstrom (AV): 2x96A. IFSM: 1200A. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 600V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 10. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dual-Fast-Recovery-Diode. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 1mA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/Installation: schrauben. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.17V

Vorwärtsstrom (AV): 2x91A. IFSM: 900A. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 10. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dual-Fast-Recovery-Diode. Hinweis: Epitaxiediode, hoher Strom. Hinweis: 900App/10ms, 45°C. MRT (maximal): 15mA. MRT (min): 1.5mA. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C. Lieferzeit: KB. Montage/Installation: schrauben. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.87V. Durchlassspannung Vf (min): 1.61V

Vorwärtsstrom (AV): 2x123A. IFSM: 1200A. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 10. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dual-Fast-Recovery-Diode. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 1mA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 357W. RoHS: ja. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/Installation: schrauben. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.89V

Vorwärtsstrom (AV): 37A. IFSM: 375A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 600V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.6V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V

Vorwärtsstrom (AV): 37A. IFSM: 375A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1000V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 138W. RoHS: ja. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.4V. Durchlassspannung Vf (min): 2V

Vorwärtsstrom (AV): 28A. IFSM: 200A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 138W. RoHS: ja. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.55V. Durchlassspannung Vf (min): 2.2V

Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1000V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 189W. RoHS: ja. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V

Vorwärtsstrom (AV): 52A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 189W. RoHS: ja. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.55V. Durchlassspannung Vf (min): 2V

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Doppelt: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 50uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode (FRED)“. Schwellenspannung Vf (max): 1.6V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 90A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diode „sanfte Erholung“. MRT (maximal): 0.5mA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 95W. RoHS: ja. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.75V. Durchlassspannung Vf (min): 1.79V

Vorwärtsstrom (AV): 70A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diode „sanfte Erholung“. MRT (maximal): 2.5mA. MRT (min): 650uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.66V. Durchlassspannung Vf (min): 1.74V

Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOPLUS247. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 10. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diode „sanfte Erholung“. MRT (maximal): 2.5mA. MRT (min): 650uA. Konfiguration: Isoliertes Gehäuse, ohne Bohren. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.66V. Durchlassspannung Vf (min): 1.74V