Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. Spec info: Ifsm 150A (50Hz), Vf max 0.55V

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. Spec info: Ifsm--300A (50Hz), Vf max--0.55V

Hinweis: Uf 0.98V. Hinweis: Ifsm--65App. Hinweis: Ultraschnelle Erholungsdiode

Vorwärtsstrom (AV): 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. VRRM: 200V. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST DUAL DIODE. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: ULTRA FAST. Hinweis: Ifsm--50A10mS. Spec info: IFSM--50A t=10mS

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 275A. Gehäuse: DO-4. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-4P. VRRM: 600V. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Funktion: Leistungsdiode. Buchsengewinde: M5. Gewicht: 6g. Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -25...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Spec info: 275App/10ms

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 275A. Gehäuse: DO-4. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-4P. VRRM: 600V. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Funktion: Leistungsdiode. Buchsengewinde: M5. Gewicht: 6g. Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -25...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Spec info: 275App/10ms

Vorwärtsstrom (AV): 40A. IFSM: 600A. Gehäuse: DO-5. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-5P. VRRM: 800V. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Funktion: Leistungsdiode. Buchsengewinde: M6. Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -25...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Spec info: 600App/10ms

Vorwärtsstrom (AV): 40A. IFSM: 600A. Gehäuse: DO-5. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-5P. VRRM: 800V. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Funktion: Leistungsdiode. Buchsengewinde: M6. Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -25...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Spec info: 600App/10ms

Gehäuse: DO-205. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-205AC. Hinweis: Umgekehrtes DO-8P, M12-Gewinde. Hinweis: Gewindegehäuse Anode, (hoher Strom). Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden

Vorwärtsstrom (AV): 15.9A. IFSM: 300A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3. VRRM: 600V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Fast-Recovery-Gleichrichter“. Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.6V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 255A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220L. VRRM: 800V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Recovery Rectifiers. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 20uA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.6V. Durchlassspannung Vf (min): 1.6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A)

Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 350A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 800V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.6V. Durchlassspannung Vf (min): 1.6V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Kathode (1), Anode (2), nicht verbunden (3). Hinweis: isoliertes TO220-Gehäuse. Menge pro Karton: 1. Funktion: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Spec info: 350Ap

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. Gehäuse: SOT-323. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-323. VRRM: 20V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: UMD3. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Hinweis: Ultra High Speed Switching. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code UMD3

Vorwärtsstrom (AV): 20mA. IFSM: 500mA. Gehäuse (laut Datenblatt): 3x12mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungsgleichrichterdiode. MRT (min): 5uA. Abmessungen: 3x12mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Brennbarkeitsklasse: UL94V-0. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 40V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Vorwärtsstrom (AV): 20mA. IFSM: 500mA. Gehäuse (laut Datenblatt): 3x12mm. VRRM: 16000V. Cj: 1.8pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungsgleichrichterdiode. MRT (min): 5uA. Abmessungen: 3x12mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Brennbarkeitsklasse: UL94V-0. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 40V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Vorwärtsstrom (AV): 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 1500V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Hinweis: Ultrahigh-Definition Display Applications. Hinweis: 50App/10ms, Silicon Diffused Junction Type

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 180A. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263. VRRM: 300V. Cj: 90pF. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hocheffiziente ultraschnelle Diode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 20LC30. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: IFSM--180Ap (1cycle)

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 1500V. Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 20us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: DIODE-RECTIFIER. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DGP30L. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 100Ap

Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): T0-220FPAB. VRRM: 1500V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Hinweis: DAMPER +MODULATION. Hinweis: Duale Siliziumdiode

Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): T0-220AB. VRRM: 1500V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Hinweis: DAMPER +MODULATION. Hinweis: Duale Siliziumdiode

Vorwärtsstrom (AV): 11A. IFSM: 75A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Pd (Verlustleistung, max): 78W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.6V. Durchlassspannung Vf (min): 2.2A. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C

Vorwärtsstrom (AV): 100A. IFSM: 600A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 1.5mA. Pd (Verlustleistung, max): 357W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxiediode (FRED)“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.8V. Durchlassspannung Vf (min): 1.55V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=150°C

Vorwärtsstrom (AV): 2x96A. IFSM: 1200A. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 600V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 1mA. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: schrauben. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.17V. Konditionierungseinheit: 10. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 4. Funktion: Dual-Fast-Recovery-Diode. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C

Vorwärtsstrom (AV): 2x91A. IFSM: 900A. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 15mA. MRT (min): 1.5mA. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Lieferzeit: KB. Montage/Installation: schrauben. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.87V. Durchlassspannung Vf (min): 1.61V. Konditionierungseinheit: 10. Menge pro Karton: 2. Hinweis: Epitaxiediode, hoher Strom. Hinweis: 900App/10ms, 45°C. Funktion: Dual-Fast-Recovery-Diode. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C

Vorwärtsstrom (AV): 2x123A. IFSM: 1200A. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 1mA. Pd (Verlustleistung, max): 357W. RoHS: ja. Montage/Installation: schrauben. Technologie: „Epitaxiediode“. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.89V. Konditionierungseinheit: 10. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 4. Funktion: Dual-Fast-Recovery-Diode. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C