Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 88A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdioden (max, 25 ns). Hinweis: Viso 2500V, Cisol 10pF. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 0.8V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Fast Avalanche Sinterglass Diode. Hinweis: Schnelle Gleichrichtung und Schaltdiode. MRT (maximal): 46.4k Ohms. MRT (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 50pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Mesa Rectifiers. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 0.1uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI S. Hinweis: 100App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220B. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SWITCHMODE Power Rectifiers. Hinweis: Ifsm 100A/10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 70A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 85pF. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle, Soft-Recovery-gesteuerte Lawinengleichrichter“. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--70App / 10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.25V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 70A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Cj: 75pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schneller, Soft-Recovery-gesteuerter Lawinengleichrichter. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--70Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.25V

Vorwärtsstrom (AV): 0.36A. VRRM: 1600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI. Hinweis: BYX10GP

Vorwärtsstrom (AV): 1.2A. VRRM: 350V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI-S

Vorwärtsstrom (AV): 10A. VRRM: 1200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 11 mm, 6-seitig. Hinweis: GI-L. Hinweis: M5 -Thread

Vorwärtsstrom (AV): 1A. VRRM: 300V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI

Vorwärtsstrom (AV): 20mA. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: LED-Treiberschaltung 20mA/45V. Hinweis: Konstantstrom-LED-Treiber. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: für eine Verlustleistung von 1W ohne Kühlung, max, 25V. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -50...+150°C

Vorwärtsstrom (AV): 40mA. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: LED-Treiberschaltung 40mA/45V. Hinweis: Konstantstrom-LED-Treiber. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: für eine Verlustleistung von 1W ohne Kühlung, max, 25V. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -50...+150°C

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Ifsm 150A (50Hz), Vf max 0.55V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Ifsm--300A (50Hz), Vf max--0.55V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V

Hinweis: Uf 0.98V. Hinweis: Ultraschnelle Erholungsdiode. Hinweis: Ifsm--65App

Vorwärtsstrom (AV): 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST DUAL DIODE. Hinweis: ULTRA FAST. Hinweis: Ifsm--50A10mS. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: IFSM--50A t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 275A. Gehäuse: DO-4. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-4P. VRRM: 600V. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Funktion: Leistungsdiode. Buchsengewinde: M5. Spec info: 275App/10ms. Gewicht: 6g. Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -25...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 275A. Gehäuse: DO-4. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-4P. VRRM: 600V. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Funktion: Leistungsdiode. Buchsengewinde: M5. Spec info: 275App/10ms. Gewicht: 6g. Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -25...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 40A. IFSM: 600A. Gehäuse: DO-5. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-5P. VRRM: 800V. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Funktion: Leistungsdiode. Buchsengewinde: M6. Spec info: 600App/10ms. Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -25...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 40A. IFSM: 600A. Gehäuse: DO-5. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-5P. VRRM: 800V. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Funktion: Leistungsdiode. Buchsengewinde: M6. Spec info: 600App/10ms. Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -25...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Gehäuse: DO-205. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-205AC. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Hinweis: Umgekehrtes DO-8P, M12-Gewinde. Hinweis: Gewindegehäuse Anode, (hoher Strom)

Vorwärtsstrom (AV): 15.9A. IFSM: 300A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3. VRRM: 600V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Fast-Recovery-Gleichrichter“. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.6V

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 255A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220L. VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Recovery Rectifiers. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.6V. Durchlassspannung Vf (min): 1.6V

Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 350A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Hinweis: Kathode (1), Anode (2), nicht verbunden (3). Hinweis: isoliertes TO220-Gehäuse. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: 350Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.6V. Durchlassspannung Vf (min): 1.6V