Standard- und Gleichrichterdioden

Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 250uA. MRT (min): 10uA. Äquivalente: MURS360T3G, MUR360S, R6. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 0.88V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Ultrafast Power Rectifiers. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U3J

Cj: 70pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 400A. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P1000M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 8x7.5mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS

Cj: 110pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 500A. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P2000M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 8x7.5mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.87V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms)

Cj: 150pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 2500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 400A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6A08. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 9x9mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. VRRM: 800V. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Standard-Gleichrichterdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D8x7.5mm. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 6A. Ifsm [A]: 450A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 10uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 5A. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 400A. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6A12. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 8x7.5mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 1200V. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms)

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode (Mega-Serie). Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 10A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: EQ. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOD-323. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-323F. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.66V. Durchlassspannung Vf (min): 0.21V. VRRM: 60V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Cj: 20pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. VRRM: 400V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. IFSM: 30A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Gehäuse (laut Datenblatt): A-405 (5.2x2.7mm)

Hinweis: DAEWOO TV

Hinweis: SONY TV

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FN. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. VRRM: 350V. Funktion: Schnell schaltende Diode mit schneller Erholung. Spec info: IFMS 100Ap

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 100A. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.65V. VRRM: 530V. Spec info: Silicon epitaxial planer

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Hinweis: SAMSUNG. MRT (maximal): 2.5mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Gewicht: 0.6g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): D2A ( 4.0x7.2mm ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. VRRM: 70V. Spec info: IFMS 50Ap

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 100us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Hinweis: SAMSUNG 0402-000250. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Schwellenspannung Vf (max): 2V. Durchlassspannung Vf (min): 2V. VRRM: 600V

Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 60A. Hinweis: SAMSUNG 0402-000250. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Schwellenspannung Vf (max): 3V. Durchlassspannung Vf (min): 3V. VRRM: 1000V

Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 200V

Cj: 5pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltende Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. IFSM: 20A. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 2.7x5.2mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.8V. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V. VRRM: 2000V. Spec info: IFSM--20Ap t=8.3mS

Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltende Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V. Hinweis: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltende Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltende Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Hinweis: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: 50App/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AC. VRRM: 400V

Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: 50App/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AC. VRRM: 600V

Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: 50App/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AC. VRRM: 1000V

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 2A. Hinweis: Ifsm--80A/8.2ms. Teilung: 9.5x5.3mm. VRRM: 100V. Hinweis: GI, S