Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB CASE 403A-03 ( 4.32x3.56mm ). VRRM: 60V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B36. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.74V. Durchlassspannung Vf (min): 0.74V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B36. Äquivalente: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.74V. Durchlassspannung Vf (min): 0.74V

Vorwärtsstrom (AV): 75A. IFSM: 1200A. Gehäuse: TO-240. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-240AA. VRRM: 1200V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diodenmodul, „Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)“. Hinweis: Ifsm--TVJ=45°C; t=10ms (50 Hz) 1200A. Hinweis: Abmessungen 92x20,8x30mm. Hinweis: 2-Dioden-Modul. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Isolierung 3600V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.58V. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V

Vorwärtsstrom (AV): 880A. IFSM: n/a. VRRM: 400V. Pinbelegung: M6-Schrauben (x3). Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Netzdiodenmodul, Hochstrom. Anzahl der Terminals: 3. Abmessungen: 94x34x30mm. Pd (Verlustleistung, max): 1100W. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--Tvj=25°C, tP=10ms 13000A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Elektrische Isolierung: 3600V, 50/60Hz. Technologie: Duale gemeinsame Kathodendiode (HiPerFREDTM). Betriebstemperatur: -40...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23-3. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Anode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ifsm--2A t=1us, 1A t=1s. Hinweis: CT--4pF (VR=0V, f=1.0MHz). Hinweis: Siebdruck/SMD-Code D6. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 25nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D6. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Durchmesser 8 mm x 7,5 mm. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: ScanSwitch. Hinweis: IFSM 100Aps. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 35A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Konditionierungseinheit: 1000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Äquivalente: MUR1100ERLG. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.75V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 35A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): CASE 59-10 (7.3x3.4mm). VRRM: 200V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterdiode zum Schalten der Stromversorgung. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 2uA. Spec info: IFSM--35App. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 110A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultraschnelle Erholungsdiode. Hinweis: ultraschnelle Diode. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 110Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.9V

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 35A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterdiode zum Schalten der Stromversorgung. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--35App. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast SMPS. MRT (maximal): 250uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.975V. Durchlassspannung Vf (min): 0.895V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Anode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast SMPS. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast SMPS. Hinweis: gemeinsame Kathode. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V

Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 70A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR4100E. Äquivalente: MUR4100ERLG. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.85V. Durchlassspannung Vf (min): 1.53V

Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR420. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 0.89V. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V

Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 70A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR460. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.28V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V

Vorwärtsstrom (AV): 4A. IFSM: 70A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05. VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. MRT (maximal): 900uA. MRT (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR480E. Äquivalente: MUR480ERLG. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.85V. Durchlassspannung Vf (min): 1.53V

Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 550A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SWITCHMODE Power Rectifiers. Hinweis: Ultraschnelle Erholungsdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MUR 6060. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.8V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Leistungsgleichrichterdiode, Zum Schalten von Netzteilen. Hinweis: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U8100E. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.8V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Leistungsgleichrichterdiode, Zum Schalten von Netzteilen. Hinweis: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U820. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.975V. Durchlassspannung Vf (min): 0.895V

VRRM: 600V. Gehäuse: TO-220AC. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 8A. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <1.5V / 8A. Montageart: THT. Rückwärtsleckstrom: <500uA / 600V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 60ns. Serie: MUR860

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Leistungsgleichrichterdiode, Zum Schalten von Netzteilen. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U860. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Leistungsgleichrichterdiode, Zum Schalten von Netzteilen. Hinweis: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U880E. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.8V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V