Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltende Gleichrichterdiode. Hinweis: GI, S. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AC. VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: 50App/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AC. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: 50App/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AC. VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: 50App/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 2A. VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI, S. Hinweis: Ifsm--80A/8.2ms. Teilung: 9.5x5.3mm

Vorwärtsstrom (AV): 2A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI, S. Hinweis: Ifsm--80A/8.2ms. Teilung: 9.5x5.3mm

Vorwärtsstrom (AV): 3A. VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 125A/PP. Hinweis: GI, S

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI, S. Hinweis: 125App/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 60A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). VRRM: 1500V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dämpfer . Hinweis: Samsung--32169-301-670. Hinweis: Samsung--CK6813Z/SEH. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 2.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1500V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dämpfer . Hinweis: Samsung--0402-000266. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 200A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 65 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hyperfast Diode. Hinweis: Hyperschnelle Diode. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--200Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 3.2V. Durchlassspannung Vf (min): 2.6V

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 65 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hyperfast with Soft Recovery. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: RHR30120. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 3.2V. Durchlassspannung Vf (min): 2.6V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Cj: 25pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hyperschnelle Diode. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 3.2V. Durchlassspannung Vf (min): 2.6V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 70A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon Rectifier. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--70Ap t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). VRRM: 200V. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Ultraschnelle Gleichrichterdiode. Teilung: 8x6.5mm. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 50V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 100V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 400V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 80A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-2. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 125 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultraschnelle Diode. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 250uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V

Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 40V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Hinweis: Duale Siliziumdiode. Hinweis: Ifsm 150A/10ms. Anzahl der Terminals: 3. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.48V

VRRM: 100V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 1A. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <1.1V / 1A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: <50uA / 100V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 1500ns. Serie: S1