Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 400V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: schnelle Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 80A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-2. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 125 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 250uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Funktion: Ultraschnelle Diode

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 325A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Recovery Diode. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Spec info: pinout--1

Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 40V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.48V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Ifsm 150A/10ms. Konditionierungseinheit: 50. Hinweis: Duale Siliziumdiode

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Cj: 12pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1.8us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweck-Gleichrichterdioden. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 1M. Hinweis: Gehäuse 4,6x2,7mm. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1 M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Oberflächenmontierte Gleichrichterdiode (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AA. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 2A. Ifsm [A]: 55A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..100uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.15V @ 2A

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 4.2x4.3mm. Hinweis: 50App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Oberflächenmontierte Gleichrichterdiode (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 110A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..200uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.15V @ 3A

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterdiode. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.15V. Durchlassspannung Vf (min): 1.15V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 180A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 50/60 Hz Netzgleichrichtung. MRT (maximal): 250uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: S5M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -50...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 100V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 60V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): PCB-Löten. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.7V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 90V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. Hinweis: IFSM--50Ap/10mS

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 40V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 275A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. VRRM: 40V. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Total IF(AV) 2ch 30A. Spec info: Ifsm--275A t=8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 100V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 175pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 0.001mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SB3200. Äquivalente: Vishay--VSB3200. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.68V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--80Ap 50Hz 8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 90V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): Schottky-Gleichrichterdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 5A. Ifsm [A]: 310A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.6mA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.79V @ 5A