Standard- und Gleichrichterdioden

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Oberflächenmontierte Gleichrichterdiode (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 110A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..200uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.15V @ 3A

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.15V. Durchlassspannung Vf (min): 1.15V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Cj: 80pF. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 50/60 Hz Netzgleichrichtung. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 180A. MRT (maximal): 250uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: S5M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). Betriebstemperatur: -50...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): PCB-Löten. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.7V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V. VRRM: 60V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. VRRM: 90V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. Hinweis: IFSM--50Ap/10mS

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 0.5mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 275A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Total IF(AV) 2ch 30A. Spec info: Ifsm--275A t=8.3ms

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms

Cj: 175pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 0.001mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SB3200. Äquivalente: Vishay--VSB3200. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.68V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--80Ap 50Hz 8.3ms

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. VRRM: 90V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (JEDEC-Standard): Schottky-Gleichrichterdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 5A. Ifsm [A]: 310A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.6mA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.79V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.79V @ 5A

Cj: 150pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. MRT (maximal): 50mA. MRT (min): 8uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.92V. Durchlassspannung Vf (min): 0.92V. VRRM: 150V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 125Ap

Cj: 120pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. MRT (maximal): 0.5mA. MRT (min): 0.1mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 125A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.67V. Durchlassspannung Vf (min): 0.67V. VRRM: 50V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Vorwärtsstrom [A]: 2x10A. Ifsm [A]: 110A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 300uA..7mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.85V @ 10A

Cj: 700pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 275A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: SMPS DIODE. Hinweis: Ifsm--275A/8.3mS 60Hz. Konditionierungseinheit: 30. Hinweis: Duale Siliziumdiode. Spec info: Schottky-Gleichrichterdiode

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 0.3mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: P-600. Gehäuse (laut Datenblatt): P600 ( 8x7.5mm ). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.42V. Durchlassspannung Vf (min): 0.25V. VRRM: 40V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--300Ap T=10mS 50Hz

Cj: 25pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SUPER FAST RECTIFIER. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI, S. Menge pro Karton: 1

Cj: 30pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SUPER FAST RECTIFIER. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 75A. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. VRRM: 200V. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS

Cj: 20pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SUPER FAST RECTIFIER. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 75A. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.25V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Hinweis: SUPER FAST RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD. VRRM: 300V