Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 20mA. Gehäuse: SOD-323. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-323. VRRM: 40V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: IFSM 0.75App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Vorwärtsstrom (AV): 30mA. IFSM: 0.5A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.6pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 10000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 200nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BAT83S. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Spec info: IFMS 0.5Ap/10ms. Teilung: 1.6x3.9mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 330mV

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Gehäuse: DO-34 ( SOD68 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-34 ( 1.6x3.04 ). VRRM: 50V. Cj: 8pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode. Hinweis: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 900mV. Durchlassspannung Vf (min): 300mV

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 50V. Cj: 8pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 10000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BTA86S. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +125°C. Abmessungen: 3.9x1.6mm. RoHS: ja. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 900mV. Durchlassspannung Vf (min): 300mV

Gehäuse: miniMELF. VRRM: 4.87k Ohms. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.2A. Diodentyp: Switching. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <1.0V / 0.1A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 100nA / 300V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 50ns. Serie: BAV

Gehäuse: SOT23. VRRM: 100V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.125A. Diodentyp: Switching. Durchlassspannung (max.): <1.25V / 0.15A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 500nA / 80V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 4ns. Serie: BAV

Vorwärtsstrom (AV): 250mA. IFSM: 1A. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.5x1.5mm ). VRRM: 250V. Cj: 1.5pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Kleine Signalschaltdioden, Hochspannung. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.5pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweckdioden. Hinweis: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 500mA. RoHS: ja. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. Cj: 2pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Trr-Diode (Min.): 0.6us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dual-Low-Leakage-Diode. Produktionsdatum: 2014/49. MRT (maximal): 80nA. MRT (min): 5nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: JYs. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C

Vorwärtsstrom (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 200V. Cj: 1.5pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweckdioden. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 250V. Cj: 5pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweckdioden. Hinweis: S. Hinweis: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Gehäuse: SOT23. VRRM: 70V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.15A. Diodentyp: Switching. Durchlassspannung (max.): <1.0V / 0.05A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 30nA / 25V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 4ns. Serie: BAW

Vorwärtsstrom (AV): 0.6A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35 ( 1.6x3.9mm ). VRRM: 75V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Schaltdiode für kleine Signale. Hinweis: Ifsm--4A/1uS. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 1A. Gehäuse: SOT-323. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT323. VRRM: 85V. RoHS: ja. Cj: 2pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Anode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra High Speed Switching. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code A1. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 0.15uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.715V

Vorwärtsstrom (AV): 0.115A. VRRM: 25V. Halbleitermaterial: Silizium

Vorwärtsstrom (AV): 0.115A. VRRM: 35V. Halbleitermaterial: Silizium

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 155A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 90V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, axiale Anschlüsse. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.83V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V

Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): 7.3x22mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungsgleichrichterdiode. MRT (maximal): 25uA. MRT (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 7.3x22mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Brennbarkeitsklasse: UL94V-0. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 10V

Gehäuse: DO-41. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). VRRM: 1300V. RoHS: ja. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): DO-41. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Gehäuse (laut Datenblatt): 7.3x22mm. VRRM: 16000V. Vorwärtsstrom (AV): 0.3A. IFSM: 30A. RoHS: ja. Brennbarkeitsklasse: UL94V-0. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 15V. Cj: 1pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungsgleichrichterdiode. MRT (maximal): 25uA. MRT (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 7.3x22mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 1.2A. VRRM: 50V. Halbleitermaterial: Silizium

Vorwärtsstrom (AV): 0.25A. IFSM: 20A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 2000V. Menge pro Karton: 1. Dioden-Tff (25 °C): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 2uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.4V

Vorwärtsstrom (AV): 0.75A. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. VRRM: 650V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GR

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 2us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Kühlkörpermontage. Hinweis: 4.2x4.3mm. MRT (maximal): 140uA. MRT (min): 2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 97053100. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V