Standard- und Gleichrichterdioden

Hinweis: Varicap-Diode

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 155A. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 5mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.83V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V. VRRM: 90V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, axiale Anschlüsse. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us

Cj: 1.8pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungsgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 25uA. MRT (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 7.3x22mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): 7.3x22mm. Brennbarkeitsklasse: UL94V-0. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 10V. VRRM: 12000V

RoHS: ja. Gehäuse: DO-41. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): DO-41. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1.2A. VRRM: 50V

Menge pro Karton: 1. Dioden-Tff (25 °C): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 0.25A. IFSM: 20A. MRT (maximal): 2uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass passivated. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.4V. VRRM: 2000V. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 0.75A. VRRM: 600V

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. Hinweis: GR. VRRM: 650V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 2us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Kühlkörpermontage. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 50A. Hinweis: 4.2x4.3mm. MRT (maximal): 140uA. MRT (min): 2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 97053100. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 2us. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 50A. Hinweis: 4.2x4.3mm. MRT (maximal): 140uA. MRT (min): 2uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms)

Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 70A. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V. Spec info: Ifms 70Ap

RoHS: ja. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 70A. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Spec info: Ifms 70Ap

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 2us. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 140uA. MRT (min): 3uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.6V. Durchlassspannung Vf (min): 1.6V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 4A. Hinweis: 1000 ns. Hinweis: 30App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57. VRRM: 1200V

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 12A. Hinweis: Monitor CRT-GI. Hinweis: TO-220, SOD113 (Kunststoffgehäuse). VRRM: 1500V. Hinweis: 48...82kHz

Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50°C...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 220A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon Rectifiers. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. MRT (maximal): 20uA. MRT (min): 20uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. MRT (maximal): 20uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Rocovery-Gleichrichterdiode“. Vorwärtsstrom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-81. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-81. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms)

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Rocovery-Gleichrichterdiode“. Vorwärtsstrom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-81. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-81. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 20Ap f=10ms

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 1uA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-81. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-81. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 2.3A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: S,contr,av. Hinweis: 45App/10ms