Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 400V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Hinweis: M6 -Thread. MRT (maximal): 9mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montage/Installation: Gewindebefestigung. Betriebstemperatur: -65...+190°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Hinweis: M6 -Thread. MRT (maximal): 9mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -65...+190°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 1500V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SILICON DIFFUSED TYPE. Hinweis: HOR.DEFLEC.OUTPUT COLOR TV. Hinweis: trr 0.6us

Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 800A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC 3L. VRRM: 200V. Cj: 87pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultraschnelle Soft-Recovery-Diode. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 50uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 60APU02. Äquivalente: 60APU02PBF, VS-60APU02PBF. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Trr 35nS, IF=1.0A, dIF/dt=200A/us, VR=30V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.08V. Durchlassspannung Vf (min): 0.98V

Vorwärtsstrom (AV): 1.2A. VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SAMSUNG

Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 250A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 9.1x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 60pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 2500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6A10. Äquivalente: 6A100G-R0G. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--250Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 70A. Vorwärtsstrom (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 1600V. Konditionierungseinheit: 100dB. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: M6 -Thread. MRT (maximal): 4.5mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM 1000Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V

Vorwärtsstrom (AV): 70A. Vorwärtsstrom (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 800V. Konditionierungseinheit: 100dB. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: M6 -Thread. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Montage/Installation: Gewindebefestigung. Betriebstemperatur: -65...+180°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V

Vorwärtsstrom (AV): 70A. Vorwärtsstrom (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 1600V. Konditionierungseinheit: 100dB. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: M6 -Thread. MRT (maximal): 4.5mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM 1000App / 10ms (100% Vrrm). Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V

Vorwärtsstrom (AV): 70A. Vorwärtsstrom (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 800V. Konditionierungseinheit: 100dB. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: M6 -Thread. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -65...+180°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V

Vorwärtsstrom (AV): 80A. IFSM: 800A. Gehäuse (laut Datenblatt): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 50pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultraschnelle Soft-Recovery-Diode. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 50uA. RoHS: ja. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 0.92V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 155A / 50Hz, 180A / 60Hz. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 (5.4x7.5mm). VRRM: 50V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, axiale Anschlüsse. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: i2t--132Ap t<10us, TA=25°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AP. VRRM: 50V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER. Hinweis: SAMSUNG. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: RG2A. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFMS 50Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Gehäuse: DO-41. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 400V. RoHS: ja. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C

Gehäuse: DO-41. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 1000V. RoHS: ja. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23L. VRRM: 30 v. Cj: 5pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Anode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 100mA. MRT (min): 500nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DB1. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--750mA t=10ms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -60...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.45V. Durchlassspannung Vf (min): 0.26V

Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). VRRM: 75V. Cj: 2pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 6 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schaltdiode. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code A6s, A6t. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A6s. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 715mV

Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 625mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Cj: 5pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungsschaltdiode. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code JS. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: JS. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 3pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 0.5uA. MRT (min): 1nA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: IFSM--2Ap, t=1µs. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 120mA. IFSM: 0.6A. Gehäuse: SOD-523. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-523. VRRM: 40V. Cj: 4pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode, Oberflächenmontage. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: .W. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.38V

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode, Oberflächenmontage. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 45. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.38V

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143B. VRRM: 40V. Cj: 5pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: unabhängig. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode, Oberflächenmontage. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 47 s. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.38V

Vorwärtsstrom (AV): 250mA. IFSM: 1A. Gehäuse: DO-34 ( SOD68 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 125V. Cj: 4pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1.5us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diode mit geringem Leckstrom. Hinweis: geringer Rückstrom. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schnell schaltende Schottky-Barrieredioden aus Glas. MRT (maximal): 2uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. RoHS: ja. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.8V. Durchlassspannung Vf (min): 0.24V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Diode für kleine Signale, SMD-Montage. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD80. Gehäuse (JEDEC-Standard): Sb. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 0.6A. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 30 v. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.2uA..2uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 5 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80C. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.8V. Durchlassspannung Vf (min): 0.24V. VRRM: 30 v